申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2023-08-25

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878136A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/423

优先权：["20221011 KR 10-2022-0129805","20230223 KR 10-2023-0024004"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.12#公开

摘要：一种半导体器件包括：衬底，所述衬底包括上表面和与所述上表面相反的下表面；有源图案，所述有源图案设置在所述衬底的上表面上并且在第一方向上延伸；场绝缘膜，所述场绝缘膜设置在所述衬底的上表面上并且覆盖所述有源图案的侧壁；电源轨，所述电源轨设置在所述衬底的下表面上并且在所述第一方向上延伸；沟槽，所述沟槽形成在所述衬底中并且暴露所述电源轨的一部分；以及金属图案，所述金属图案填充所述沟槽的至少一部分并且连接到所述电源轨；其中，所述沟槽的底表面与所述衬底的下表面基本上共面，其中，所述沟槽的侧壁具有凸出形状，并且其中，所述场绝缘膜的至少一部分设置在所述沟槽中。

主权项：1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括上表面和与所述上表面相反的下表面；有源图案，所述有源图案设置在所述衬底的上表面上并且在第一方向上延伸；场绝缘膜，所述场绝缘膜设置在所述衬底的上表面上并且覆盖所述有源图案的侧壁；电源轨，所述电源轨设置在所述衬底的下表面上并且在所述第一方向上延伸；沟槽，所述沟槽形成在所述衬底中并且暴露所述电源轨的一部分；以及金属图案，所述金属图案填充所述沟槽的至少一部分并且连接到所述电源轨；其中，所述沟槽的底表面与所述衬底的下表面基本上共面，其中，所述沟槽的侧壁具有凸出形状，并且其中，所述场绝缘膜的至少一部分设置在所述沟槽中。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 半导体器件

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