申请/专利权人：苏州大学

申请日：2021-03-22

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN113130296B

主分类号：H01L21/02

分类号：H01L21/02

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2021.08.03#实质审查的生效;2021.07.16#公开

摘要：本发明公开了一种六方氮化硼上生长氮化镓的方法，采用化学气相沉积法，在铜箔上生长得到六方氮化硼；降温处理使其表面出现连续且均匀的褶皱；将铜箔上具有褶皱的六方氮化硼转移到其它衬底上作为生长氮化镓的插入层；利用氧等离子体处理六方氮化硼褶皱；采用金属有机化学气相沉积法，生长低VIII比氮化镓成核层；采用金属有机化学气相沉积法，生长高VIII比氮化镓层。本发明采用氧等离子体处理六方氮化硼褶皱，在六方氮化硼褶皱处形成缺陷和原子台阶，以六方氮化硼褶皱边缘为成核点，侧向生长形成完整连续的氮化镓薄膜。侧向生长的过程也减少了外延层中的位错，进一步提高了氮化镓的晶体质量，具有很强的实用性。

主权项：1.一种六方氮化硼上生长氮化镓的方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）采用化学气相沉积法，在铜箔上生长六方氮化硼；（2）对铜箔上六方氮化硼降温处理，使六方氮化硼表面出现连续且均匀的褶皱；（3）将铜箔上具有褶皱的六方氮化硼转移到其它衬底上；具有褶皱的六方氮化硼作为生长氮化镓的插入层；（4）利用氧等离子体处理六方氮化硼的褶皱；（5）采用金属有机化学气相沉积法，生长低VIII比氮化镓成核层；（6）采用金属有机化学气相沉积法，生长高VIII比氮化镓层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州大学 一种六方氮化硼上生长氮化镓的方法

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