申请/专利权人：深圳华大生命科学研究院

申请日：2019-01-28

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN113396229B

主分类号：C12Q1/6876

分类号：C12Q1/6876;C12Q1/6869

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2021.10.01#实质审查的生效;2021.09.14#公开

摘要：一种芯片基质、测序芯片及其制备方法，该芯片基质包括：晶圆层111，所述晶圆层111上具有均匀分布的切割线；第一氧化硅层112，所述第一氧化硅层112由氧化硅构成，形成在所述晶圆层111的上表面；过渡金属氧化物层113，所述过渡金属氧化物层113由过渡金属氧化物构成，形成在所述第一氧化硅层112的上表面。该芯片基质具有耐高温、耐高湿度等苛刻环境的特点，同时，通过改变含有待测序序列溶液的pH及表面活性剂等成分，可以使得芯片基质表面功能区特异性吸附待测序序列。

主权项：1.一种芯片基质，其特征在于，包括：晶圆，所述晶圆上具有均匀分布的切割线；第一氧化硅层，所述第一氧化硅层由氧化硅构成，形成在所述晶圆的上表面；过渡金属氧化物层，所述过渡金属氧化物层由过渡金属氧化物构成，形成在所述第一氧化硅层的上表面，所述过渡金属氧化物层由数个不相连的过渡金属氧化物斑点构成，所述数个不相连的过渡金属氧化物斑点之间的第一氧化硅层上进一步连接有聚乙二醇，或者，所述芯片基质包括：晶圆，所述晶圆上具有均匀分布的切割线；第一氧化硅层，所述第一氧化硅层由氧化硅构成，形成在所述晶圆的上表面；过渡金属氧化物层，所述过渡金属氧化物层由过渡金属氧化物构成，形成在所述第一氧化硅层的上表面，第二氧化硅层；所述过渡金属氧化物层为连续层结构，所述第二氧化硅层由氧化硅呈数个相连的具有凹陷的井字格形成在所述过渡金属氧化物层上表面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳华大生命科学研究院 测序芯片及其制备方法

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