申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2020-02-19

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN113661570B

主分类号：H01L23/525

分类号：H01L23/525;H01L23/498;H01L23/48;H01L23/50

优先权：["20190403 US 16/374,418"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2021.12.03#实质审查的生效;2021.11.16#公开

摘要：本申请案涉及包含重布层的半导体装置。半导体装置可包含衬底及重布层。所述重布层可包含电介质材料及导电材料。通孔可延伸通过所述电介质材料。所述导电材料的第一区可从一行的第一横向侧连接到所述行中的通孔的第一子组，所述第一区占据所述行在所述第一横向侧上的宽度的一半以上。所述导电材料的第二区可从所述行的第二相对横向侧连接到所述行中的通孔的第二子组，所述第二区占据所述行在所述第二横向侧上的所述宽度的一半以上。

主权项：1.一种半导体装置，其包括：衬底，其包括半导体材料；重布层，其支撑在所述衬底上，所述重布层包括位于电介质材料的与所述衬底相对的侧上的导电材料；及通孔，其从所述导电材料通过所述电介质材料朝向所述衬底延伸；其中所述导电材料的第一区包括靠近第一组所述通孔的第一宽度及靠近第二组横向邻近的所述通孔的第二较大宽度，如在至少基本上垂直于形成所述第一组所述通孔与所述第二组所述通孔之间最短距离的线的方向上测量；且其中所述导电材料的第二区包括靠近所述第一组所述通孔的第三宽度及靠近所述第二组所述通孔的第四较小宽度，以及其中所述第一区的所述第一宽度至少基本上等于所述第二区的所述第四宽度，且所述第一区的所述第二宽度至少基本上等于所述第二区的所述第三宽度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 包含重布层的半导体装置

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