申请/专利权人：之江实验室

申请日：2023-11-07

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN117219518B

主分类号：H01L21/48

分类号：H01L21/48;H01L21/768;H01L23/473;H01L23/367;H01L23/48

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2023.12.29#实质审查的生效;2023.12.12#公开

摘要：本公开涉及微流道基板及其制造方法、晶上封装结构及其制造方法。制造微流道基板的方法包括：形成多个延伸入预制基板的导电通道，及形成至少一个延伸入预制基板的金属翅，其中，导电通道和金属翅均从预制基板的第一侧延伸入预制基板，导电通道的长度大于金属翅的长度；形成从第一侧延伸入预制基板的微流道，得到围绕导电通道的第一翅并使金属翅的至少部分外周面暴露于微流道，其中，微流道的深度小于导电通道的长度；形成位于预制基板的第一侧并电连接于导电通道的第一金属层；从预制基板的背向第一侧的第二侧减薄预制基板，得到基板并使导电通道暴露于第二侧；以及形成位于基板的第二侧并电连接于导电通道的第二金属层。实现高效的散热能力。

主权项：1.用于制造微流道基板的方法，其特征在于，包括：形成多个延伸入预制基板的导电通道，及形成至少一个延伸入所述预制基板的金属翅，其中，所述导电通道和所述金属翅均从所述预制基板的第一侧延伸入所述预制基板，所述导电通道的长度大于所述金属翅的长度；形成从所述第一侧延伸入所述预制基板的微流道，得到围绕所述导电通道的第一翅、得到基于所述预制基板的不围绕所述导电通道的第二翅、并使所述金属翅的至少部分外周面暴露于所述微流道，其中，所述微流道的深度小于所述导电通道的长度，所述第一翅、所述第二翅及所述金属翅阵列设置；形成位于所述预制基板的第一侧并电连接于所述导电通道的第一金属层；从所述预制基板的背向所述第一侧的第二侧减薄所述预制基板，得到基板并使所述导电通道暴露于所述第二侧；以及形成位于所述基板的第二侧并电连接于所述导电通道的第二金属层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 之江实验室 微流道基板及其制造方法、晶上封装结构及其制造方法

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