申请/专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司

申请日：2017-03-13

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN110832617B

主分类号：H01L21/00

分类号：H01L21/00;H01L29/45

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2020.03.17#实质审查的生效;2020.02.21#公开

摘要：一种器件，其包括半导体衬底100；掩埋层101；以及具有内壁的沟槽128，其从埋层101延伸到半导体衬底100的表面，沟槽128具有侧壁、底壁、阻挡层134和填料，该阻挡层134包括覆盖侧壁和底壁的钛Ti层，该填料包括形成在阻挡层134上的一个以上的导体材料层130、132。

主权项：1.一种用于处理半导体晶片的方法，其包括：提供部分处理的具有沟槽开口的半导体晶片，所述沟槽开口蚀刻穿过半导体晶片的一部分；在所述半导体晶片的顶表面上以及在所述沟槽开口的侧壁和底壁上沉积钛层即Ti层；在所述Ti层上沉积氮化钛层即TiN层；在所述半导体晶片的所述表面上和所述TiN层上沉积第一导电层，所述第一导电层部分地填充所述沟槽开口；回蚀所述第一导电层，以将其从所述半导体晶片的所述顶表面上方移除；在至少700℃的温度下对所述Ti层执行氮气退火；将第二导电层沉积到所述半导体晶片的所述表面上方并进入所述沟槽开口；以及回蚀所述第二导电层，从而将其从所述半导体晶片的所述表面上方移除。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 德克萨斯仪器股份有限公司 具有下沉接触件的晶体管器件及其制造方法

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