申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司;华虹半导体(无锡)有限公司

申请日：2024-01-19

公开（公告）日：2024-05-03

公开（公告）号：CN117979694A

主分类号：H10B41/10

分类号：H10B41/10;H10B41/47;H10B41/44

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.21#实质审查的生效;2024.05.03#公开

摘要：本发明提供一种闪存存储器版图、闪存存储器及其制作方法。字线引出区设置有自下而上分布的字线和字线接触孔。字线引出区内的字线下方不设置有源区。字线引出区设置第二浮栅图形一，第二浮栅图形一沿Y方向延伸跨越每行第一浮栅图形；第二浮栅图形一的图形区域对应的控制栅多晶硅层去除。如此一来，字线引出区内，每行字线沿Y方向的两侧不再设置控制栅，从根本上避免由于字线接触孔在光刻工艺中套刻对位偏差导致的字线与控制栅的桥接。可以有效扩大字线接触孔光刻的工艺对位窗口。字线接触孔不设置在组有源区内，因此字线接触孔在光刻工艺中套刻对位偏差不会影响组有源区内的闪存存储单元。

主权项：1.一种闪存存储器版图，平行于所述闪存存储器版图的平面内定义相互垂直的X方向和Y方向，其特征在于，包括：有源区版图层，所述有源区版图层包括位于组有源区内的多个沿所述X方向平行排列且沿所述Y方向延伸的有源区；第一浮栅版图层，所述第一浮栅版图层包括多个沿Y方向平行排列且沿X方向延伸的第一浮栅图形；所述第一浮栅图形依次横跨字线引出区、第一连接区、组有源区和第二连接区；每个所述第一浮栅图形上对应一组相隔离的第一控制栅和第二控制栅；第二浮栅版图层，所述第二浮栅版图层包括第二浮栅图形一，所述第二浮栅图形一在所述字线引出区沿所述Y方向延伸跨越每行所述第一浮栅图形；所述第二浮栅版图层的图形区域对应的控制栅去除；字线接触孔版图层，所述字线接触孔版图层包括在所述字线引出区沿所述Y方向在每行所述第一浮栅图形中间区域均分布的字线接触孔；所述第二浮栅图形一覆盖所有所述字线接触孔。

全文数据：

权利要求：

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