申请/专利权人：东北大学

申请日：2024-01-31

公开（公告）日：2024-05-03

公开（公告）号：CN117966097A

主分类号：C23C14/20

分类号：C23C14/20;C23C14/35;H01M4/66

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.21#实质审查的生效;2024.05.03#公开

摘要：本发明提供了一种聚醚醚酮Cu复合薄膜及其制备方法和应用，属于覆铜板和集流膜技术领域。本发明在聚醚醚酮薄膜的单面或双面磁控溅射过渡层和Cu层，并控制过渡层的具体种类，采用高活性的Al、Ti、Cr或其合金，既能够与聚醚醚酮薄膜中的官能团形成化学键，又能够与Cu层形成冶金结合，从而提高聚醚醚酮和Cu之间的结合力，且制备方法简单、效率高、没有环境污染。实施例的结果显示，本发明制备的复合薄膜的剥离强度＞16.76Ncm，超过电子行业要求。

主权项：1.一种聚醚醚酮Cu复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：1在聚醚醚酮薄膜的单面或双面进行磁控溅射过渡层，得到单面或双面过渡层包覆聚醚醚酮薄膜；所述过渡层包括Al层、Ti层、Cr层、Al-Ti合金层、Al-Cr合金层、Ti-Cr合金层或Al-Ti-Cr合金层；2在所述步骤1得到的单面或双面过渡层包覆聚醚醚酮薄膜的过渡层表面进行磁控溅射铜层，得到聚醚醚酮Cu复合薄膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东北大学 一种聚醚醚酮/Cu复合薄膜及其制备方法和应用

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