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【发明公布】一种溶液法晶体生长的方法及其装置、晶体_华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学_202311837663.4 

申请/专利权人:华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学

申请日:2023-12-28

公开(公告)日:2024-05-03

公开(公告)号:CN117966248A

主分类号:C30B7/14

分类号:C30B7/14

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.05.21#实质审查的生效;2024.05.03#公开

摘要:本申请涉及一种溶液法晶体生长的方法及其装置、晶体,所述方法包括:将置于补料区的第一前驱体溶液流入缓冲区进行缓冲,以使所述第一前驱体溶液的温度得到缓冲;将置于生长区的第二前驱体溶液进行晶体生长,且同时所述缓冲区中的第一前驱体溶液不断流入所述生长区,以及同时所述生长区的第二前驱体溶液中的生长完的溶液流入回收区,以使所述生长区的第二前驱体溶液中的晶体体系处于一致稳态中,得到形貌规整的晶体。本申请内容解决了现有溶液法晶体生长而导致晶体偏析的技术问题。

主权项:1.一种溶液法晶体生长的方法,其特征在于,所述方法包括:将置于补料区的第一前驱体溶液流入缓冲区进行缓冲,以使所述第一前驱体溶液的温度得到缓冲;将置于生长区的第二前驱体溶液进行晶体生长,且同时所述缓冲区中的第一前驱体溶液不断流入所述生长区,以及同时所述生长区的第二前驱体溶液中的生长完的溶液流入回收区,以使所述生长区的第二前驱体溶液中的晶体体系处于一致稳态中,得到形貌规整的晶体。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学 一种溶液法晶体生长的方法及其装置、晶体

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