申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2018-11-13

公开（公告）日：2020-05-19

公开（公告）号：CN111180383A

主分类号：H01L21/768(20060101)

分类号：H01L21/768(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.06.12#实质审查的生效;2020.05.19#公开

摘要：本公开是关于一种半导体结构的制造方法、半导体结构以及半导体器件。该半导体结构的制造方法包括：提供基底；在基底上形成具有凹槽的图形层，所述凹槽的底部暴露出部分所述基底；在所述凹槽的内壁上形成牺牲层；在所述凹槽中填充多晶硅，所述多晶硅中具有空气狭缝；将所述牺牲层去除，所述牺牲层去除后所述多晶硅与所述凹槽之间具有间隙；对所述多晶硅进行预设温度的加热，使所述空气狭缝中的气体借由所述间隙逸出，从而使所述空气狭缝消除。本公开提供的半导体结构的制造方法，能够去除向凹槽中填充多晶硅时多晶硅内部产生的狭缝。

主权项：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供基底；在基底上形成具有凹槽的图形层，所述凹槽的底部暴露出部分所述基底；在所述凹槽的内壁上形成牺牲层；在所述凹槽中填充多晶硅，所述多晶硅中具有空气狭缝；将所述牺牲层去除，所述牺牲层去除后所述多晶硅与所述凹槽之间具有间隙；对所述多晶硅进行预设温度的加热，使所述空气狭缝中的气体借由所述间隙逸出，从而使所述空气狭缝消除。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构的制造方法、半导体结构以及半导体器件

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD