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【发明公布】含有自对准互锁接合结构的三维存储器装置及其制造方法_桑迪士克科技有限责任公司_201980005841.2 

申请/专利权人:桑迪士克科技有限责任公司

申请日:2019-01-31

公开(公告)日:2020-07-03

公开(公告)号:CN111373536A

主分类号:H01L27/11556(20060101)

分类号:H01L27/11556(20060101);H01L27/11524(20060101);H01L27/11582(20060101);H01L27/1157(20060101);H01L23/00(20060101);H01L23/522(20060101)

优先权:["20180423 US 15/960,267"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2020.07.28#实质审查的生效;2020.07.03#公开

摘要:第一衬底具有从第一接合侧平面表面突出的第一台面结构。第一金属衬垫结构嵌入在所述第一台面结构内。第二衬底具有从第二接合侧平面表面凹陷的第一凹部空腔。第二金属衬垫结构位于所述第一凹部空腔的凹陷区处。使所述第一接合侧平面表面和所述第二接合侧平面表面彼此物理接触,同时通过自对准将所述第一台面结构设置于所述第一凹部空腔的体积区内。在所述第一凹部空腔的体积区内的所述第一金属衬垫结构与所述第二金属衬垫结构之间提供间隙。通过使第三金属材料选择性地从所述第一金属衬垫结构和所述第二金属衬垫结构生长来形成金属连接衬垫。

主权项:1.一种接合结构,其包括:第一衬底,其具有第一接合侧平面表面和从所述第一接合侧平面表面突出的第一台面结构,其中所述第一台面结构包括第一金属衬垫结构,所述第一金属衬垫结构含有第一金属材料且包含第一金属表面;第二衬底,其具有第二接合侧平面表面和从所述第二接合侧平面表面凹陷的第一凹部空腔,其中包括第二金属材料且包含第二金属表面的第二金属衬垫结构位于所述第一凹部空腔的凹陷区处,并且所述第一台面结构设置于所述第一凹部空腔的体积区内且所述第一接合侧平面表面接触所述第二接合侧平面表面;以及包括第三金属材料的金属连接衬垫,其接合到所述第一金属衬垫结构和所述第二金属衬垫结构,并位于所述第一凹部空腔的未由所述第一台面结构填充的体积区内。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 桑迪士克科技有限责任公司 含有自对准互锁接合结构的三维存储器装置及其制造方法

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