申请/专利权人：爱思开海力士有限公司

申请日：2020-05-11

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN112563278B

主分类号：H10B41/35

分类号：H10B41/35;H10B41/27;H10B43/27;H10B43/35;G11C5/02

优先权：["20190926 KR 10-2019-0118600"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2021.04.13#实质审查的生效;2021.03.26#公开

摘要：具有芯片到芯片接合结构的半导体装置。一种半导体装置包括：第一芯片，其被划分成多个区域，所述第一芯片包括所述多个区域中的每一个中的多个第一焊盘和多个第一测试焊盘；以及第二芯片，其包括与所述多个第一焊盘对应的多个第二焊盘以及与所述多个第一测试焊盘对应的多个第二测试焊盘，并且所述第二芯片接合到第一芯片上，使得所述多个第二焊盘联接到所述多个第一焊盘。第二芯片包括链接到所述多个第二焊盘的电压生成电路，该电压生成电路基于由于所述多个第一测试焊盘与所述多个第二测试焊盘之间的接触电阻而引起的各个区域的电压降值来针对所述多个区域中的每一个向所述多个第二焊盘提供经补偿的电压。

主权项：1.一种半导体装置，该半导体装置包括：第一芯片，该第一芯片被划分成多个区域，该第一芯片包括所述多个区域中的每一个中的多个第一焊盘和多个第一测试焊盘；以及第二芯片，该第二芯片包括与所述多个第一焊盘对应的多个第二焊盘以及与所述多个第一测试焊盘对应的多个第二测试焊盘，并且所述第二芯片接合到所述第一芯片上，使得所述多个第二焊盘联接到所述多个第一焊盘，其中，所述第二芯片包括链接到所述多个第二焊盘的电压生成电路，该电压生成电路基于由于所述多个第一测试焊盘与所述多个第二测试焊盘之间的接触电阻而引起的各个区域的电压降值来针对所述多个区域中的每一个向所述多个第二焊盘提供经补偿的电压，其中，针对所述多个区域中的每一个，由于所述接触电阻而引起的各个区域的所述电压降值越大，则提供给所述第二焊盘的所述经补偿的电压越大。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 爱思开海力士有限公司 具有芯片到芯片接合结构的半导体装置

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