申请/专利权人：联华电子股份有限公司

申请日：2022-10-31

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878093A

主分类号：H01L23/528

分类号：H01L23/528;H01L25/18;H01L21/768

优先权：["20221011 TW 111138340"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明公开一种半导体封装体、半导体接合结构及其形成方法。半导体封装体包括第一芯片、第二芯片、以及导电结构，导电结构设置在第二芯片的一侧并位于第一内连线结构的第二上表面上，以电连接第一内连线结构。而半导体接合结构则包括第一基底、多个第一内连线结构、多个芯片、以及多个导电结构，其中，导电结构分别设置在各芯片的一侧并位于各第一内连线结构的第二上表面上，以分别电连接各第一内连线结构。

主权项：1.一种半导体封装体，包括：第一芯片，包括：第一基底；以及第一内连线结构，设置在该第一基底上，其中，该第一内连线结构的顶面包括第一上表面与第二上表面；第二芯片，堆叠在该第一芯片上，该第二芯片包括：第二基底；以及第二内连线结构，设置在该第二基底上，其中，该第二内连线结构直接接触并电连接该第一内连线结构的该第一上表面；以及导电结构，设置在该第二芯片的一侧并位于该第一内连线结构的该第二上表面上，该导电结构电连接该第一内连线结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 联华电子股份有限公司 半导体封装体、半导体接合结构及其形成方法

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