申请/专利权人：英特尔公司

申请日：2014-03-27

公开（公告）日：2020-07-28

公开（公告）号：CN106030824B

主分类号：H01L29/88(20060101)

分类号：H01L29/88(20060101);H01L29/78(20060101);H01L21/336(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-未缴年费专利权终止

法律状态：2022.03.11#未缴年费专利权终止;2017.03.29#实质审查的生效;2016.10.12#公开

摘要：本发明描述了具有隧穿场效应晶体管TFET器件的复用器电路。例如，复用器电路包括彼此耦合的第一组隧穿场效应晶体管TFET器件。第一组TFET器件接收第一数据输入信号、第一选择信号和第二选择信号。第二组TFET器件彼此耦合并且接收第二数据输入信号、第一选择信号和第二选择信号。输出端子耦合到第一组TFET和第二组TFET。输出端子生成复用器电路的输出信号。

主权项：1.一种复用器电路，包括：反相器，具有耦合到第一选择信号的输入，并且所述反相器具有耦合到第二选择信号的输出；彼此耦合的第一组隧穿场效应晶体管TFET器件，接收第一数据输入信号、所述第一选择信号和所述第二选择信号，其中，所述第一组TFET器件包括彼此串联耦合的第一NTFET和第一PTFET；彼此耦合的第二组TFET器件，接收第二数据输入信号、所述第一选择信号和所述第二选择信号，其中，所述第二组TFET器件包括彼此串联耦合的第二NTFET和第二PTFET，并且其中，所述第一组TFET器件的另一NTFET的栅极直接耦合到所述第二组TFET器件的另一PTFET的栅极；以及耦合到所述第一组TFET器件和所述第二组TFET器件的输出端子，所述输出端子生成所述复用器电路的输出信号；其中，利用向所述第二组TFET器件提供所述第二选择信号的连接将所述第一组TFET器件耦合到所述第二组TFET器件。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 英特尔公司 利用具有隧穿场效应晶体管(TFET)的电路实施的复用器逻辑功能

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