申请/专利权人：东芝存储器株式会社

申请日：2019-08-12

公开（公告）日：2020-09-18

公开（公告）号：CN111681983A

主分类号：H01L21/683(20060101)

分类号：H01L21/683(20060101);H01L21/67(20060101);H01L27/11556(20170101);H01L27/11582(20170101)

优先权：["20190311 JP 2019-043952"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.11.17#授权;2020.10.20#实质审查的生效;2020.09.18#公开

摘要：实施方式涉及一种衬底的分离方法、半导体存储装置的制造方法及衬底分离装置。实施方式的衬底的分离方法分离具有第1衬底及第2衬底的贴合衬底，在第1衬底配置有第1衬底上的碳膜及碳膜上的存储单元，在第2衬底配置有晶体管，第1衬底与第2衬底是将配置有存储单元的侧的面与配置有晶体管的侧的面接合，该衬底的分离方法是去除碳膜，从贴合衬底分离存储单元及第2衬底。

主权项：1.一种衬底的分离方法，其特征在于：分离具有第1衬底及第2衬底的贴合衬底，所述贴合衬底在所述第1衬底的第1面上配置有碳膜，在所述碳膜上配置有存储单元，在所述存储单元上配置有第1连接端子，在所述第2衬底的第1面上配置有晶体管，在所述晶体管上配置有第2连接端子，所述第1衬底与所述第2衬底是在所述第1衬底的所述第1面与所述第2衬底的所述第1面对向的方向上，将配置有所述存储单元的侧的面与配置有所述晶体管的侧的面接合，且所述第1连接端子与所述第2连接端子连接，且所述衬底的分离方法是去除所述碳膜，从所述贴合衬底分离所述第1连接端子与所述第2连接端子连接的所述存储单元及所述第2衬底。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东芝存储器株式会社 衬底的分离方法、半导体存储装置的制造方法及衬底分离装置

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