申请/专利权人：艾马克科技公司

申请日：2020-05-11

公开（公告）日：2020-11-24

公开（公告）号：CN111987049A

主分类号：H01L23/31(20060101)

分类号：H01L23/31(20060101);H01L23/498(20060101);H01L21/56(20060101)

优先权：["20190522 US 16/419,650"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.12.11#实质审查的生效;2020.11.24#公开

摘要：半导体装置和制造半导体装置的方法。在一个实例中，一种半导体装置可以包括：a电子装置，所述电子装置包括装置顶部侧、与所述装置顶部侧相对的装置底部侧，以及在所述装置顶部侧与所述装置底部侧之间的装置侧壁；b第一导体，所述第一导体包括在所述装置侧壁上的第一导体侧区段、在所述装置顶部侧上并且耦合到所述第一导体侧区段的第一导体顶部区段以及耦合到所述第一导体侧区段的第一导体底部区段；以及c保护材料，所述保护材料覆盖所述第一导体和所述电子装置。所述第一导体顶部区段的下表面可以高于所述装置顶部侧，并且所述第一导体底部区段的上表面可以低于所述装置顶部侧。本文中也公开其它实例和相关方法。

主权项：1.一种半导体装置，其包括：电子装置，所述电子装置包括：装置顶部侧，所述装置顶部侧包括装置第一端子；装置底部侧，所述装置底部侧与所述装置顶部侧相对；以及装置第一侧壁，所述装置第一侧壁在所述装置顶部侧与所述装置底部侧之间；以及衬底，所述衬底包括：介电材料，所述介电材料包括：介电质顶部区段，所述介电质顶部区段在所述装置顶部侧之上，其中所述介电质顶部区段包括在所述装置第一端子之上的介电质第一开口；介电质侧区段，所述介电质侧区段在所述装置第一侧壁之上并且与所述介电质顶部区段相连；以及介电质底部区段，所述介电质底部区段包括与所述装置底部侧大体上共面并且与所述介电质侧区段相连的下表面；以及第一导电材料，所述第一导电材料包括：第一导电顶部区段，所述第一导电顶部区段在所述介电质顶部区段之上并且穿过所述介电质第一开口耦合到所述装置第一端子；第一导电侧区段，所述第一导电侧区段在所述介电质侧区段之上并且与所述第一导电顶部区段相连；以及第一导电底部区段，所述第一导电底部区段在所述介电质底部区段之上并且与所述第一导电侧区段相连。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 艾马克科技公司 半导体装置和制造半导体装置的方法

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