申请/专利权人：英诺赛科(珠海)科技有限公司

申请日：2020-07-02

公开（公告）日：2020-11-24

公开（公告）号：CN111989780A

主分类号：H01L29/778(20060101)

分类号：H01L29/778(20060101);H01L21/335(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.08.23#授权;2020.12.11#实质审查的生效;2020.11.24#公开

摘要：一种半导体装置结构包含衬底、沟道层、阻挡层以及经掺杂III‑V族层。所述沟道层安置在所述衬底上。所述阻挡层安置在所述沟道层上。所述经掺杂III‑V族层安置在所述阻挡层上。所述经掺杂III‑V族层包含第一部分和第二部分。所述第一部分具有第一浓度的第一元素。所述第二部分邻近所述第一部分并且具有第二浓度的所述第一元素。栅极结构安置在所述经掺杂III‑V族层的所述第一部分上。所述第一元素的所述第一浓度不同于所述第一元素的所述第二浓度。

主权项：1.一种半导体装置结构，其包括：衬底；沟道层，所述沟道层安置在所述衬底上；阻挡层，所述阻挡层安置在所述沟道层上；经掺杂III-V族层，所述经掺杂III-V族层安置在所述阻挡层上，所述经掺杂III-V族层包括：第一部分，所述第一部分具有第一浓度的第一元素；以及第二部分，所述第二部分邻近所述第一部分，所述第二部分具有第二浓度的所述第一元素；以及栅极结构，所述栅极结构安置在所述经掺杂III-V族层的所述第一部分上，其中所述第一元素的所述第一浓度不同于所述第一元素的所述第二浓度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 英诺赛科(珠海)科技有限公司 半导体装置结构和其制造的方法

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