申请/专利权人：国际商业机器公司

申请日：2019-06-10

公开（公告）日：2021-01-12

公开（公告）号：CN112219281A

主分类号：H01L27/18(20060101)

分类号：H01L27/18(20060101);B82Y10/00(20060101);H01L39/22(20060101);H01L39/24(20060101)

优先权：["20180612 US 16/006,436"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.01.29#实质审查的生效;2021.01.12#公开

摘要：提供了与垂直金属衬底硅超导量子干涉器件有关的技术及其制造方法。还提供了相关的磁通量控制和偏置电路。超导体结构500包括：包括在第一晶体硅层106和第二晶体硅层110之间包括第一超导材料的第一超导层302的金属衬底硅基板。所述超导结构还可以包括：包括第一约瑟夫森结506的第一过孔502和具有第二约瑟夫森结516的第二过孔504。可以在所述第一超导层302和第二超导层522之间形成所述第一过孔502和包括第二超导材料的所述第二过孔504。围绕所述第二晶体硅层110的限定区域的电回路可以包括：包括所述第一约瑟夫森结506的所述第一过孔502、包括所述第二约瑟夫森结516的所述第二过孔504、所述第一超导层302和所述第二超导层522。

主权项：1.一种超导结构，包括：金属衬底硅基板，包括在第一晶体硅层和第二晶体硅层之间的第一超导层，所述第一超导层包括第一超导材料；在所述第一超导层的第一部分和第二超导层的第一部分之间并与之接触的第一过孔，所述第一过孔包括第一约瑟夫森结，所述第二超导层在所述第二晶体硅层上方，并且包括第二超导材料；以及在所述第一超导层的第二部分和所述第二超导层的第二部分之间并与之接触的第二过孔，所述第二过孔包括第二约瑟夫森结，其中围绕所述第二晶体硅层的限定区域的电回路包括：包括所述第一约瑟夫森结的所述第一过孔、包括所述第二约瑟夫森结的所述第二过孔、所述第一超导层和所述第二超导层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 国际商业机器公司 垂直金属衬底硅超导量子干涉器件

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