申请/专利权人：索尼半导体解决方案公司

申请日：2019-06-11

公开（公告）日：2021-02-12

公开（公告）号：CN112368821A

主分类号：H01L21/768(20060101)

分类号：H01L21/768(20060101);H01L21/3205(20060101);H01L23/522(20060101);H01L23/532(20060101);H01L27/146(20060101)

优先权：["20180629 JP 2018-123927"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.06.11#实质审查的生效;2021.02.12#公开

摘要：根据本发明的一个实施例的半导体装置设置有：第一基板，其具有第一接合部；和第二基板，其具有接合至第一接合部的第二接合部。第一基板进一步包括第一多层配线层，其隔着第一绝缘层电连接至第一接合部，在第一多层配线层中，第一配线的一个表面面向第一绝缘层，第一配线形成在最靠近与第二基板的接合面的一侧，并且与该一个表面相对的另一表面与第二绝缘层接触，第二绝缘层的相对介电常数低于第一绝缘层的相对介电常数。

主权项：1.一种半导体装置，其包括：第一基板，所述第一基板包括第一接合部；和第二基板，所述第二基板包括第二接合部，所述第二接合部被接合至所述第一接合部，其中所述第一基板进一步包括第一多层配线层，在所述第一多层配线层中，形成为最靠近与所述第二基板的接合面的第一配线的一个表面面向第一绝缘层，而所述第一配线的与所述一个表面相对的另一表面和第二绝缘层接触，所述第一多层配线层隔着所述第一绝缘层电连接至所述第一接合部，所述第二绝缘层的相对介电常数低于所述第一绝缘层的相对介电常数。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 索尼半导体解决方案公司 半导体装置和半导体装置的制造方法

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