申请/专利权人：株式会社半导体能源研究所

申请日：2019-06-17

公开（公告）日：2021-02-12

公开（公告）号：CN112368846A

主分类号：H01L29/786(20060101)

分类号：H01L29/786(20060101);H01L21/336(20060101);H01L21/822(20060101);H01L21/8234(20060101);H01L21/8242(20060101);H01L27/04(20060101);H01L27/06(20060101);H01L27/088(20060101);H01L27/108(20060101);H01L27/1156(20060101);H01L29/788(20060101);H01L29/792(20060101)

优先权：["20180629 JP 2018-124870"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.07.06#实质审查的生效;2021.02.12#公开

摘要：提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。本发明的半导体装置包括晶体管、电容器、电极及层间膜，晶体管包括半导体层、栅极、源极及漏极，晶体管及电容器以埋入层间膜中的方式配置，源极和漏极中的一个在半导体层的下方与电极接触，源极和漏极中的另一个在半导体层的上方与电容器的一个电极接触。

主权项：1.一种半导体装置，包括：晶体管、电容器、电极及层间膜，其中，所述晶体管包括半导体层、栅极、源极及漏极，所述晶体管及所述电容器以埋入所述层间膜中的方式配置，所述源极和所述漏极中的一个在所述半导体层的下方与所述电极接触，并且，所述源极和所述漏极中的另一个在所述半导体层的上方与所述电容器的一个电极接触。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及半导体装置的制造方法

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