申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2020-02-17

公开（公告）日：2021-04-13

公开（公告）号：CN111276384B

主分类号：H01J37/32(20060101)

分类号：H01J37/32(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.04.13#授权;2020.07.07#实质审查的生效;2020.06.12#公开

摘要：本发明提供一种半导体工艺反应腔室，其包括：出气端，所述出气端设有一出气口；至少一气体吹扫管路，与所述出气口的侧壁连通，用于将具有一设定压强的气体自所述出气口的侧壁输入至所述出气口内，所述气体在所述出气口侧壁表面形成气层。本发明的优点在于，在所述出气口的侧壁上形成气层，所述气层能够防止所述反应副产物在所述出气口的侧壁堆积，从而避免堆积物对反应腔室内进行的半导体工艺产生影响。

主权项：1.一种半导体工艺反应腔室，其特征在于，包括：出气端，所述出气端设有一出气口；在所述出气口的侧壁设置有衬垫，所述衬垫与所述出气口的侧壁之间形成一储气空间，所述衬垫上具有至少一通孔；至少一气体吹扫管路，与所述储气空间连通，具有一设定压强的气体经所述出气口的侧壁进入所述储气空间，并经所述通孔进入所述出气口内，所述气体在所述衬垫的表面形成气层；在所述衬垫上还设置有一阻挡垫，所述阻挡垫对应所述气体吹扫管路的出口设置，以改变所述气体吹扫管路的出口处的气体流向。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 半导体工艺反应腔室

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