申请/专利权人：厦门市必易微电子技术有限公司

申请日：2021-01-21

公开（公告）日：2021-05-07

公开（公告）号：CN112768424A

主分类号：H01L23/492(20060101)

分类号：H01L23/492(20060101);H01L23/495(20060101);H01L25/07(20060101);H02M1/00(20070101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.05.25#实质审查的生效;2021.05.07#公开

摘要：公开了一种采用功率半桥叠封方案的半导体器件和半桥电路模块，该半导体器件包括封装框架和层叠设置在封装框架的底座上的至少两个晶体管，其中，相邻两个晶体管的上层晶体管设置在下层晶体管的上表面的第一开窗区中，在该第一开窗区中实现串联或并联连接。本发明的半导体器件将至少两个晶体管层叠设置在封装框架的底座上，降低了对底座的基岛数量的需求，便于与普通封装框架兼容，降低了封装成本。本发明的半桥电路模块将第一晶体管和第二晶体管层叠设置在封装框架的底座上，第一晶体管和第二晶体管通过导电层电性连接而串联，降低了对封装框架的底座的基岛的需求，便于与普通封装框架兼容，降低了封装成本。

主权项：1.一种采用功率半桥叠封方案的半导体器件，其特征在于，包括：封装框架，包括底座；至少两个晶体管，层叠设置在所述底座上，其中，所述至少两个晶体管中的相邻晶体管中的下层晶体管的上表面包括第一开窗区，所述第一开窗区中包括所述下层晶体管的源电极和漏电极中的至少一个；所述至少两个晶体管中的相邻晶体管中的上层晶体管设置在所述下层晶体管的第一开窗区中，所述上层晶体管的下表面包括所述上层晶体管的源电极和漏电极中的至少一个，且与所述下层晶体管的源电极和漏电极中的至少一个串联或并联连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 厦门市必易微电子技术有限公司 一种采用功率半桥叠封方案的半导体器件和半桥电路模块

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