申请/专利权人：北京航天控制仪器研究所

申请日：2021-02-20

公开（公告）日：2021-05-07

公开（公告）号：CN112758888A

主分类号：B81C1/00(20060101)

分类号：B81C1/00(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.12.27#授权;2021.05.25#实质审查的生效;2021.05.07#公开

摘要：本发明提供了一种带有硅通孔的硅MEMS微结构的加工工艺，用于在硅结构内加工形成硅槽和硅通孔，包括在硅结构晶圆一侧制作光刻胶和第一铝或钛金属膜，加工后分别作为硅通孔和硅槽的刻蚀工艺图形掩模，同时在硅结构晶圆另一侧淀积第二铝或钛金属膜作为刻蚀阻挡层。本发明中，采用的铝或钛金属膜与硅具有良好的黏附性，且在硅刻蚀过程中具有很高的刻蚀选择比；在硅硅结构晶圆单侧制作刻蚀图形掩模，并在另一侧制备刻蚀阻挡层，从单侧进行硅刻蚀能够避免通孔刻蚀穿通后晶圆背面气体漏率增大，造成由于刻蚀均匀性需继续刻蚀时，刻蚀速率异常和图形陡直度变差问题；采用金属膜作为刻蚀阻挡层，能够避免通孔底部电荷积累造成的刻蚀结构底部损伤问题。

主权项：1.一种带有硅通孔的硅MEMS微结构的加工工艺，其特征在于，该加工工艺用于在硅结构内加工形成硅槽和硅通孔，包括以下步骤：步骤一：采用磁控溅射或电子束蒸发在硅结构晶圆正面制备第一金属膜；步骤二：在硅结构晶圆正面第一金属膜上采用光刻工艺加工形成与硅槽和硅通孔图形对应的光刻胶图形；步骤三：以步骤二加工的光刻胶图形为掩模，采用湿法腐蚀或干法刻蚀的方式加工第一金属膜，得到与硅槽和硅通孔图形对应的金属膜图形；步骤四：去除光刻胶；步骤五：采用磁控溅射或电子束蒸发在硅结构晶圆背面制备第二金属膜；步骤六：在硅结构晶圆正面的第一金属膜上采用光刻工艺加工形成与硅通孔图形对应的光刻胶图形；步骤七：以步骤六加工的光刻胶图形为掩模，采用干法刻蚀工艺刻蚀硅结构，加工出未刻蚀透的硅通孔；步骤八：去除光刻胶；步骤九：以步骤三加工的金属膜图形为掩模，采用干法刻蚀工艺刻蚀硅结构，形成硅槽，同时将硅通孔刻蚀透；步骤十：湿法腐蚀去除晶圆正面和背面的第一金属膜和第二金属膜，并清洗甩干，得到待加工硅MEMS微结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京航天控制仪器研究所 一种带有硅通孔的硅MEMS微结构的加工工艺

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