申请/专利权人：无锡江南计算技术研究所

申请日：2019-09-06

公开（公告）日：2021-06-22

公开（公告）号：CN110795897B

主分类号：G06F30/30(20200101)

分类号：G06F30/30(20200101);G11C29/12(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.06.22#授权;2020.03.10#实质审查的生效;2020.02.14#公开

摘要：本发明涉及芯片验证技术领域，具体涉及一种针对多种错误类型的片上存储器BIST验证方法。本发明通过以下技术方案得以实现的：一种针对多种错误类型的片上存储器BIST验证方法，S01、验证环境搭建步骤、S02、激励规则制定步骤、S03、造错模块添加步骤、S04、结果验证步骤。本发明的目的是提供一种针对多种错误类型的片上存储器BIST验证方法，在测试过程中，充分遍历实现BIST测试中所有可出现的错误类型，保证测试修复逻辑的正确性并提升操作效率。

主权项：1.一种针对多种错误类型的片上存储器BIST验证方法，其特征在于，包含如下步骤：S01、验证环境搭建步骤：搭建针对存储器的BIST测试环境；S02、激励规则制定步骤：制定激励规则，制定不同的出错方式以及对应的测试结果，指定三个错误量，所述三个错误量均为单错，指定所述三个错误量在不同位置，对应的测试结果值；S03、造错模块添加步骤：添加造错模块，对指定自测试地址和轮次时的正确数据取反造成相应的错误数据；S04、结果验证步骤：将所述造错模块形成的所述错误数据作为激励数据，输入进BIST测试环境取得测试结果，将所述测试结果与所述激励规则中对应的测试结果值进行比对验证；在所述S02步骤中，三个错误量为错误A、错误B和错误C，ABC的错误位置指定如下：编号1：三个单错：ABC均在非冗余行列上，且ABC错误位置两两相交；编号2：三个单错：C在冗余行，AB在非冗余行列上，AB处于正交状态；编号3：三个单错：C在冗余列，AB在非冗余行列上，AB处于正交状态；编号4：三个单错：AB均在非冗余行列上，且同行，C在冗余行；编号5：三个单错：AB均在非冗余行列上，且同列，C在冗余列；编号6：三个单错：AB均在非冗余行列上，且同列，C在冗余行；编号7：三个单错：AB均在非冗余行列上，且同行，C在冗余列；编号8：三个单错：A在非冗余行列，BC在冗余行；编号9：三个单错：A在非冗余行列，BC在冗余列；编号10：三个单错：A在非冗余行列，B在冗余行，C在冗余列。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 无锡江南计算技术研究所 一种针对多种错误类型的片上存储器BIST验证方法

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