申请/专利权人：株式会社半导体能源研究所

申请日：2019-11-12

公开（公告）日：2021-07-23

公开（公告）号：CN113169382A

主分类号：H01M10/42(20060101)

分类号：H01M10/42(20060101);H01L21/822(20060101);H01L27/04(20060101);H01L27/06(20060101);H01L27/088(20060101);H01L29/786(20060101);H02J7/00(20060101)

优先权：["20181122 JP 2018-219232","20181204 JP 2018-227040","20181219 JP 2018-237055"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.11.30#实质审查的生效;2021.07.23#公开

摘要：提供一种功耗低的半导体装置。该半导体装置包括节点ND1、节点ND2、电阻器、电容器及比较电路，电阻器在二次电池的正极及负极中的一个与第一端子之间以串联连接的方式电连接。电阻器具有将流过二次电池的正极及负极中的一个与第一端子之间的电流转换为第一电压的功能。第一电压通过电容器加入节点ND2的电压。比较电路具有比较节点ND1的电压与节点ND2的电压的功能。当节点ND2的电压大于节点ND1的电压时，比较电路输出通知检测出过电流的信号。

主权项：1.一种电池组，包括：第一至第四晶体管及比较器；与所述第一至所述第四晶体管的栅电极电连接的控制电路；以及与所述控制电路电连接的二次电池，其中，所述第一晶体管的源极及漏极中的一个与所述比较器的非反相输入端子电连接，所述第二晶体管的源极及漏极中的一个与所述比较器的反相输入端子电连接，所述第三晶体管的源极及漏极中的一个与所述第四晶体管的源极及漏极中的一个电连接，在所述第三晶体管的源极及漏极中的另一个与所述第四晶体管的源极及漏极中的另一个之间含有第一电阻器，含有与所述第一晶体管的源极及漏极中的一个电连接的第一电容器，在所述第二晶体管的源极及漏极中的一个与所述第三晶体管的源极及漏极中的一个之间含有第二电容器，并且，所述第一及所述第二晶体管在半导体层中含有氧化物半导体。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及电池组

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