申请/专利权人：细美事有限公司

申请日：2017-04-28

公开（公告）日：2021-09-17

公开（公告）号：CN113410117A

主分类号：H01J37/32(20060101)

分类号：H01J37/32(20060101)

优先权：["20160429 KR 10-2016-0052941"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.10.08#实质审查的生效;2021.09.17#公开

摘要：实施方式包括一种基板温度控制装置、一种包括基板温度控制装置的基板处理装置以及一种控制所述装置的方法，其可以按每个区域控制基板的温度，并且不增加装置的体积。所述基板温度控制装置包括：支撑板，用于支撑基板；多个加热单元，放置在基板的不同区域中，并且按每个区域控制基板的温度；电源单元，用于提供功率以控制基板的温度；开关单元，连接在所述多个加热单元与所述电源单元之间，并且包括一个或多个晶体管器件；以及控制器，用于通过控制开关单元来控制提供给每个加热单元的功率。

主权项：1.一种基板温度控制装置，所述基板温度控制装置用于基板处理装置，所述基板处理装置包括等离子体生成单元，所述等离子体生成单元用于使得所供应的气体成为等离子体状态，并且包括用于提供高频功率的高频电源和电连接到所述高频电源并且接收所述高频功率以感生时变磁场的多个线圈，所述基板温度控制装置包括：支撑板，用于支撑基板；多个加热单元，放置在所述基板的不同区域中，并且按每个区域控制所述基板的温度；电源单元，用于提供功率以控制所述基板的温度；开关单元，连接在所述多个加热单元与所述电源单元之间，并且包括一个或多个晶体管器件；以及控制器，用于通过控制所述开关单元来控制提供给每个加热单元的功率，其中，所述基板温度控制装置还包括：第一滤波器，连接在所述电源单元与所述开关单元之间，并且阻挡由所述时变磁场导致流入所述电源单元中的高频功率信号；和第二滤波器，其设置于所述开关单元与所述控制器之间，并且阻挡由所述时变磁场导致流入所述控制器中的高频功率信号，所述第二滤波器包括铁氧体磁芯，且所述晶体管器件包括MOSFET器件，所述开关单元包括分别对应于所述多个加热单元的多个MOSFET通道，所述基板温度控制装置还包括传感器单元，用于检测所述基板的温度分布信息，其中，所述控制器根据所述温度分布信息而确定打开哪个MOSFET通道，其中，所述电源单元提供低于预定频率的交流功率，并且所述第一滤波器和所述第二滤波器阻挡高于预定频率的高频功率信号并且使得低于预定频率的交流功率信号通过。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 细美事有限公司 基板温度控制装置、基板处理装置以及控制方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD