申请/专利权人：江苏东海半导体科技有限公司

申请日：2021-08-24

公开（公告）日：2021-11-19

公开（公告）号：CN113675078A

主分类号：H01L21/28(20060101)

分类号：H01L21/28(20060101);H01L29/423(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.08.05#授权;2021.12.07#实质审查的生效;2021.11.19#公开

摘要：本申请公开了一种MOS器件的形成方法，包括：在外延层中形成第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽，外延层形成于衬底上，衬底包括第一区域、第二区域和第三区域，第一沟槽的关键尺寸小于第二沟槽的关键尺寸；在第一区域形成第一栅介电层，第一沟槽内形成的第一栅介电层中，上部区域的厚度小于下部区域的厚度；在第二区域和第三区域形成第二栅介电层，第二栅介电层最薄区域的厚度大于第一栅介电层最厚区域的厚度；在第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽中填充多晶硅，分别形成第一栅极、第二栅极和终端结构的栅极；在外延层中形成阱区；在第一栅极、第二栅极和终端结构的栅极两侧的阱区中形成重掺杂区。

主权项：1.一种MOS器件的形成方法，其特征在于，包括：在外延层中形成第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽，所述外延层形成于衬底上，所述衬底从俯视角度观察包括第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域和所述第二区域用于形成所述MOS器件的功能器件，所述第三区域用于形成终端结构，所述第一沟槽的关键尺寸小于所述第二沟槽的关键尺寸；在所述第一区域形成第一栅介电层，所述第一沟槽内形成的第一栅介电层中，上部区域的厚度小于下部区域的厚度；在所述第二区域和所述第三区域形成第二栅介电层，所述第二栅介电层最薄区域的厚度大于所述第一栅介电层最厚区域的厚度；在所述第一沟槽、所述第二沟槽和所述第三沟槽中填充多晶硅，所述第一沟槽中的多晶硅形成所述功能器件的第一栅极，所述第二沟槽中的多晶硅形成所述功能器件的第二栅极，所述第三沟槽中的多晶硅形成所述终端结构的栅极；在所述外延层中形成阱区，所述阱区中的杂质的类型与所述外延层中的杂质类型不同；在所述第一栅极、所述第二栅极和所述终端结构的栅极两侧的阱区中形成重掺杂区，所述重掺杂区中的杂质的类型与所述外延层中的杂质类型相同，所述重掺杂区中的杂质的浓度大于所述外延层中的杂质的浓度，所述重掺杂区中的杂质的浓度大于所述阱区中的杂质的浓度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江苏东海半导体科技有限公司 MOS器件的形成方法

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