申请/专利权人：意法半导体股份有限公司;意法半导体有限公司

申请日：2023-02-20

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN220774378U

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336

优先权：["20220221 IT 102022000003125","20230213 US 18/168,509"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权

摘要：本公开涉及金属氧化物半导体MOS晶体管和设备。一种垂直导电沟槽栅极类型的MOS晶体管包括与沟槽栅极的栅极氧化物的从半导体衬底突出的部分相邻的第一间隔物和第二间隔物，第一间隔物和第二间隔物关于对称轴彼此镜像；通过使用间隔物作为注入掩模在本体区域内注入掺杂剂物种，来形成富集P+区域。对称间隔物的形成使得可以形成与栅极电极自动对准的源极、本体和本体富集区域，从而克服其中借助于光刻技术形成这样的区域具有随之而来的不对称性风险的已知类型的MOS晶体管的限制。

主权项：1.一种金属氧化物半导体MOS晶体管，其特征在于，包括：半导体本体，具有彼此相对的第一侧和第二侧，并且具有第一类型的导电性；在所述第一侧处的所述半导体本体中的沟槽，所述沟槽具有彼此相对的第一侧和第二侧，所述沟槽的所述第一侧和所述第二侧横向于所述半导体本体的所述第一侧并且朝向所述半导体本体的所述第二侧延伸；在所述沟槽的所述第一侧和所述第二侧上的所述沟槽中的第一氧化物区域；在所述沟槽中的、在所述第一氧化物区域上的导电栅极区域，所述导电栅极区域通过所述第一氧化物区域与所述半导体本体电隔离；在所述沟槽中的、在所述导电栅极区域上的第二氧化物区域；具有第二类型的导电性的第一本体区域和第二本体区域，与所述沟槽的相应的所述第一侧和所述第二侧相邻，与所述半导体本体的所述第二侧相比，所述第一本体区域和所述第二本体区域更靠近所述半导体本体的所述第一侧；在相应的所述第一本体区域和所述第二本体区域内的具有所述第一类型的导电性的第一源极区域和第二源极区域；以及在所述半导体本体的所述第二侧处的漏极电极；其中所述第一氧化物区域的部分和所述第二氧化物区域的部分从所述半导体本体的所述第一侧突出；第一间隔物和第二间隔物，与所述第一氧化物区域的从所述半导体本体的所述第一侧突出的所述部分相邻，所述第一间隔物和所述第二间隔物；第一凹槽，在所述半导体本体中，延伸穿过与所述第一间隔物相邻的所述第一源极区域和所述第一本体区域；第二凹槽，在所述半导体本体中，延伸穿过与所述第二间隔物相邻的所述第二源极区域和所述第二本体区域；所述第二类型的导电性的第一富集区域和第二富集区域，具有与所述第一本体区域和所述第二本体区域不同的掺杂浓度，所述第一富集区域和所述第二富集区域在相应的所述第一凹槽和所述第二凹槽中，所述第一富集区域和所述第二富集区域与相应的所述第一本体区域和所述第二本体区域电接触；以及在所述第一凹槽和所述第二凹槽中的金属接触层，与所述第一源极区域和所述第二源极区域电接触。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 意法半导体股份有限公司;意法半导体有限公司 金属氧化物半导体MOS晶体管和设备

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD