申请/专利权人：硅晶体有限公司

申请日：2021-07-21

公开（公告）日：2022-01-21

公开（公告）号：CN113964017A

主分类号：H01L21/02(20060101)

分类号：H01L21/02(20060101);C30B29/36(20060101)

优先权：["20200721 EP 20186878.3"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.02.15#实质审查的生效;2022.01.21#公开

摘要：本发明涉及具有用于减少裂缝的最佳晶面取向的碳化硅晶体及其生产方法，尤其提供了一种其晶体结构的特定取向设定为减少或者甚至消除机械加工期间裂纹或裂缝的出现的单晶4H‑SiC半成品及其生产方法。具有纵向轴线和平行于所述纵向轴线的至少部分弯曲的侧表面的单晶4H‑SiC半成品的特征在于，4H‑SiC半成品的晶体结构相对于纵向轴线取向成使得在半成品的侧表面上的每个位置都有线段，该线段与每单位长度上至少预定最小数量的型的平行解理面相交，其中所述线段由在所述位置处与侧表面相切的平面限定。

主权项：1.一种具有提高的抗解理机械鲁棒性的单晶4H-SiC半成品，所述单晶4H-SiC半成品具有纵向轴线和平行于所述纵向轴线的至少部分弯曲的侧表面，其特征在于，所述4H-SiC半成品的晶体结构相对于所述纵向轴线取向成使得在所述半成品的所述侧表面上的每个位置处都有这样的线段，所述线段与每单位长度上至少预定最小数量的型的平行解理面相交，其中，所述线段由在所述位置处与所述侧表面相切的平面限定。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 硅晶体有限公司 具有用于减少裂缝的最佳晶面取向的碳化硅晶体及其生产方法

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