申请/专利权人:杭州富加镓业科技有限公司
申请日:2022-04-29
公开(公告)日:2022-07-29
公开(公告)号:CN114823287A
主分类号:H01L21/02
分类号:H01L21/02
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2022.08.16#实质审查的生效;2022.07.29#公开
摘要:本发明提供了一种在非故意掺杂衬底上制备同质外延氧化镓薄膜的方法及分子束外延设备,其中,所述分子束外延设备包括MBE生长室、设置在所述MBE生长室内的不锈钢托盘,以及固定设置在所述不锈钢托盘底端的非故意掺杂氧化镓衬底,所述不锈钢托盘的上方设置有激光器,所述激光器发出的激光光斑覆盖所述不锈钢托盘的整个顶部。本发明通过所述激光器以激光加热的方法均匀的加热MBE生长室中的不锈钢托盘,进而实现非故意掺杂氧化镓衬底的均匀受热,制备出高质量、厚度均匀的非故意掺杂氧化镓同质外延片。
主权项:1.一种在非故意掺杂衬底上制备同质外延氧化镓薄膜的分子束外延设备,包括MBE生长室、设置在所述MBE生长室内的不锈钢托盘,以及固定设置在所述不锈钢托盘底端的非故意掺杂氧化镓衬底,其特征在于,所述不锈钢托盘的上方设置有激光器,所述激光器发出的激光光斑覆盖所述不锈钢托盘的整个顶部。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 杭州富加镓业科技有限公司 一种在非故意掺杂衬底上制备同质外延氧化镓薄膜的方法及分子束外延设备
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