申请/专利权人：胜高股份有限公司

申请日：2017-10-03

公开（公告）日：2022-09-23

公开（公告）号：CN110235225B

主分类号：H01L21/304

分类号：H01L21/304;B24B37/08

优先权：["20161102 JP 2016-215561"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.09.23#授权;2019.10.15#实质审查的生效;2019.09.13#公开

摘要：本发明提供半导体晶片的双面抛光方法，其通过对应抛光中的抛光环境变化，能够抑制抛光质量的偏差。本发明的半导体晶片的双面抛光方法包括：事先求出判定双面抛光的抛光倾向的判定函数的工序；第1工序，根据初始抛光条件，开始所述半导体晶片的双面抛光；第2工序，根据所述初始抛光条件进行所述半导体晶片的双面抛光，同时使用所述第1工序的指定期间中的装置日志数据计算所述判定函数的值，基于该判定函数的值，将调整了所述初始抛光条件的调整抛光条件设定于所述双面抛光装置；及第3工序，根据所述调整抛光条件进行所述半导体晶片的双面抛光。

主权项：1.一种半导体晶片的双面抛光方法，其使用双面抛光装置进行半导体晶片的双面抛光，该方法的特征在于，包括：基于使用所述双面抛光装置结束双面抛光后的多个半导体晶片的形状指标、及对应该形状指标的所述双面抛光装置的抛光末期的装置日志数据，进行重回归分析，事先求出判定所述双面抛光的抛光倾向的判定函数的工序；第1工序，根据初始抛光条件，开始所述半导体晶片的双面抛光；第2工序，继所述第1工序，根据所述初始抛光条件进行所述半导体晶片的双面抛光，同时使用所述第1工序的抛光末期中的装置日志数据计算所述判定函数的值，基于该判定函数的值，将调整了所述初始抛光条件的调整抛光条件设定于所述双面抛光装置；及第3工序，继所述第2工序，根据所述调整抛光条件进行所述半导体晶片的双面抛光。

全文数据：半导体晶片的双面抛光方法技术领域本发明涉及一种同时抛光半导体晶片的正面和背面两面的半导体晶片的双面抛光方法。背景技术已知有硅晶片及GaAs等的化合物半导体晶片作为半导体晶片。通常而言，半导体晶片依次通过下列工序而得到：切片工序，用线锯将单晶锭切片成为薄圆板状的晶片；磨削工序，使切片后的晶片的正面和背面平坦化，同时使其成为指定厚度；抛光工序，消除磨削后的晶片表面的凹凸，并施以平坦度高的镜面精加工。并且，根据用途可使用MOCVD法等，在抛光后的半导体晶片表面形成外延层。在上述的半导体晶片的抛光工序中，使用同时抛光半导体晶片的两面的双面抛光法、及仅抛光单面的单面抛光法当中的任一个或两个，进行双面抛光法之后，还进行依次进行单面抛光法的多段抛光。其中，使用图1，对根据现有技术的通常的双面抛光装置9进行说明。如图1所示，双面抛光装置9包括：具有用于保持半导体晶片20的保持孔40的载板30；分别设有抛光垫60a、60b的上平台50a及下平台50b；分别使上平台50a及下平台50b旋转的一对马达90a及90b。上平台50a及下平台50b构成为，能够以所希望的负载夹持被保持孔40保持的半导体晶片20。马达90a及90b，使上平台50a及下平台50b以反方向旋转。并且，载板30上设有外周齿轮，通过与下平台50b中心部的中心齿轮70和下平台50b外周的内齿轮80啮合，载板30进行自转及公转称为“行星旋转”。另外，中心齿轮70及内齿轮80，分别由不同于马达90a及90b的马达90c，90d所驱动。双面抛光装置9，一边使夹持的载板30行星旋转，一边借助由抛光垫60a及60b进行的加压和滴下浆料未图示，同时对半导体晶片20的正面和背面进行化学机械抛光。关于双面抛光后的半导体晶片所需的形状规格，将晶片中心设为凸形状或者凹形状等，可根据其后进行的各种工序而异。因此，在双面抛光法中，要求控制抛光条件，以根据规格得到如同目标形状的半导体晶片形状。虽然确定抛光后的目标形状并进行半导体晶片的双面抛光，但仍难以得到如同目标形状的完全精确的形状，而产生误差。并且，在双面抛光法中，若进行抛光处理，则无法避免抛光垫磨损或抛光中的浆料温度变化、以及局部的浆料供给量变化等抛光环境变化，这种抛光环境变化还会导致抛光质量的恶化。因此，正在研究出各种控制双面抛光法中的抛光条件的方法。例如，专利文献1所记载的技术中，在包含以高抛光率进行抛光的第1抛光工序和接着用低抛光率进行抛光的第2抛光工序的半导体晶片的双面抛光方法中，在半导体晶片抛光后，以光学测定半导体晶片的截面形状，并基于该测定结果，设定下一次抛光时的第1及第2抛光工序的抛光条件。根据专利文献1，通过该双面抛光方法，能够提高包括半导体晶片的最外周部在内的半导体晶片整体的平坦度。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2014-99471号公报发明内容发明所要解决的技术问题但是，专利文献1的双面抛光法为，对于抛光暂时结束后的下一个批次之后的抛光反映出已修正的抛光条件的技术。因此，专利文献1所记载的技术中，即使能够修正下一次抛光之后的抛光条件，但无法对应于抛光中的抛光环境变化。在现有的双面抛光方法中，与专利文献1所记载的技术相同地，虽然可在多个阶段中改变抛光条件，但在抛光开始前设定各个阶段中的指定的抛光条件，一旦抛光开始就无法再进行抛光条件的调整。因此，根据现有技术的双面抛光方法中，抛光中发生了抛光环境变化的批次的半导体晶片成为不合格，因此成品率改善受到限制。并且，根据现有技术的双面抛光方法中，从是否使抛光后的半导体晶片得到如同目标形状所谓形状控制性等观点考虑的抛光质量上，也产生了偏差。因此，本发明的目的在于提供一种半导体晶片的双面抛光方法，能够通过对应抛光中的抛光环境变化来抑制抛光质量的偏差。用于解决技术问题的方案为了实现上述目的，本发明人等反复进行了深入研究。然后，本发明人等想到，为了对应抛光中的抛光环境变化，在抛光中，在原位in-situ：现场调整抛光条件。通过在原位调整抛光条件，能够对应抛光中的抛光环境变化，其结果能够改善抛光质量的偏差。本发明人等深入研究并确认到，若将半导体晶片的形状指标设为目的变数，将抛光中的装置日志数据设为说明变数而进行重回归分析，则两者之间存在强烈的复相关关系。而且还发现，将抛光中的装置日志数据代入到通过重回归分析所得到的线形函数时，能够基于从该线形函数计算的值判定抛光中的半导体晶片的形状状态。而且，本发明人等发现，基于该判定结果，在抛光中调整抛光条件，由此能够对应抛光中的环境变化而抑制抛光质量的偏差，进而完成本发明。基于上述发现而完成的本发明的主旨方案如下所述。1一种半导体晶片的双面抛光方法，其使用双面抛光装置进行半导体晶片的双面抛光，该方法的特征在于，包括：基于使用所述双面抛光装置结束双面抛光后的多个半导体晶片的形状指标、及对应该形状指标的所述双面抛光装置的抛光末期的装置日志数据，进行重回归分析，事先求出判定所述双面抛光的抛光倾向的判定函数的工序；第1工序，根据初始抛光条件，开始所述半导体晶片的双面抛光；第2工序，继所述第1工序，根据所述初始抛光条件进行所述半导体晶片的双面抛光，同时使用所述第1工序的抛光末期中的装置日志数据计算所述判定函数的值，基于该判定函数的值，将调整了所述初始抛光条件的调整抛光条件设定于所述双面抛光装置；及第3工序，继所述第2工序，根据所述调整抛光条件进行所述半导体晶片的双面抛光。另外，本说明书中的“抛光条件”是指，平台转速或负载、浆料流量、浆料温度等的对化学机械抛光随时间产生影响的参数，并与“抛光时间”有所区别。2如所述1所记载的半导体晶片的双面抛光方法，其中，所述第3工序中的抛光时间基于所述判定函数的值。3如所述1或2所记载的半导体晶片的双面抛光方法，其中，所述调整抛光条件包含所述双面抛光装置的平台转速及平台负载中的至少任一个的调整。4如所述1至3中任一个所记载的半导体晶片的双面抛光方法，其中，在所述半导体晶片达到指定厚度时，开始所述第2工序。发明效果根据本发明的半导体晶片的双面抛光方法，能够提供一种能够通过对应抛光中的抛光环境变化来抑制抛光质量的偏差的半导体晶片的双面抛光方法。附图说明图1是现有技术中的半导体晶片的双面抛光装置的示意图。图2是用于根据本发明的一实施方式的半导体晶片的双面抛光方法的半导体晶片的双面抛光装置的示意图。图3是说明根据本发明的一实施方式的半导体晶片的双面抛光方法的流程图。图4是表示在实施例中求出判定函数时，与目标形状值之差的实测值及预测值的图表。具体实施方式以下，参考附图，对根据本发明的一实施方式的半导体晶片的双面抛光方法进行说明。另外，为了便于说明夸大图示了图中的各结构的纵横比，其与实际不同。根据本发明的一实施方式的半导体晶片的双面抛光方法中，通过双面抛光装置进行半导体晶片的双面抛光，例如使用图1中所示的双面抛光装置1。并且，在双面抛光中，包含图3的流程图中所示的各工序。首先，利用图2对能够在本实施方式中使用的双面抛光装置1进行说明。针对与利用已述的图1说明过的双面抛光装置9重复的结构有时会使用相同的附图标记，省略详细的说明。双面抛光装置1包含：具有用于保持半导体晶片20的保持孔40的载板30；分别设置有抛光垫60a、60b的上平台50a及下平台50b；以及分别使上平台50a及下平台50b旋转的一对马达90a及90b。上平台50a及下平台50b构成为，能够以所希望的负载夹持被保持孔40保持的半导体晶片20。马达90a及90b，使上平台50a及下平台50b以反方向旋转。并且，在载板30设有外周齿轮，通过与下平台50b中心部的中心齿轮70和下平台50b外周的内齿轮80啮合，载板30进行行星旋转。另外，中心齿轮70及内齿轮80，分别由不同于马达90a及90b的马达90c，90d所驱动。双面抛光装置1，一边使所夹持的载板30进行行星旋转，一边借助由抛光垫60a及60b进行的加压和滴下浆料未图示，同时对半导体晶片20的正面和背面进行化学机械抛光。为了简化双面抛光装置1的示意图，虽未在图2中图示，但双面抛光装置中也可包含双面抛光装置中所使用的通常公知的结构，例如用于浆料供给的浆料流入出口，用于将平台温度维持为恒定的稳态恒温水的流入出口，以及用于测定各平台内的恒温室、抛光中的半导体晶片的厚度的波长可变型的红外线激光测量器等。并且，通过载板30的外周齿轮与中心齿轮70及内齿轮80啮合，载板30进行旋转，但为了简化双面抛光装置1的示意图，因此未在图中示出中心齿轮70、内齿轮80与载具的外周齿轮的啮合。并且，内齿轮80可由在圆周方向上配置有多个旋转驱动轴销或齿轮的各个轴销或齿轮构成，通过各个轴销或齿轮与载板30的外周齿轮啮合，能够使载板30旋转。但是，为了简化双面抛光装置1的示意图，未图示各个轴销。并且，在双面抛光装置1设置有测定部110，测定部110能够根据抛光的进行，即时获取双面抛光中的双面抛光装置1的装置日志数据。装置日志数据中可以包含在双面抛光装置1中能够测定的各种装置数据种类，例如：抛光中的半导体晶片厚度、上下平台的抖动、浆料流量、浆料的流入温度、浆料的流出温度、上平台的转速、下平台的转速、恒温水的流入温度、恒温水的流出温度、上平台的负荷率、下平台的负荷率、中心齿轮负荷率及载板转速等。双面抛光装置1的控制部120控制上述各结构，进行双面抛光的同时通过测定部110即时获取双面抛光装置1的装置日志数据。根据本实施方式的双面抛光方法中，通过使用如上述那样的双面抛光装置，至少包含以下工序S0～S30，进行半导体晶片的双面抛光。即，首先进行工序S0，其基于使用双面抛光装置结束双面抛光后的多个半导体晶片的形状指标和对应于该形状指标的双面抛光装置的装置日志数据进行重回归分析，事先求出判定基于双面抛光的抛光倾向的判定函数。然后，进行第1工序S10，其根据初始抛光条件，开始半导体晶片的双面抛光。并且，继第1工序S10，进行第2工序S20，其根据初始抛光条件进行半导体晶片的双面抛光，同时使用第1工序S10的抛光末期的装置日志数据，计算判定函数的值，基于该判定函数的值，将调整了初始抛光条件的调整抛光条件设定于双面抛光装置。然后，继第2工序S20，进行第3工序S30，其根据调整抛光条件，进行半导体晶片的双面抛光。另外，本实施方式中，连续进行第1工序S10～第3工序S30而不停止抛光。以下，依次说明各工序的详细内容。具体说明本实施方式中，事先求出判定函数的工序S0。另外，本工序S0在半导体晶片的双面抛光之前，事先进行。本工序S0中求出的判定函数，能够如下求出。首先，事先测定使用双面抛光装置结束双面抛光后的多个半导体晶片的形状指标、以及对应于该形状指标的双面抛光装置的装置日志数据。另外，测定次数设为在统计学上具有足够意义的次数。能够利用全球平坦度的代表性指标即评价整个半导体晶片的厚度不均的GBIRGlobalbacksideidealrange：全球背面理想范围作为半导体晶片的形状指标。但是，由于GBIR是用绝对值定义的，因此是正值，无法表现出半导体晶片的凹凸形状。这是因为，半导体晶片的中心位置的厚度大于半导体晶片的平均厚度的情况下，半导体晶片的形状被目视评价为中心凸形状，在相反的情况下，则被目视评价为中心凹形状，即使测定出同等的GBIR值，目视评价也大不同。因此，利用半导体晶片的中心位置的厚度大于半导体晶片的平均厚度时，以正值表示GBIR值的值，半导体晶片的中心位置的厚度小于半导体晶片的平均厚度时，以负值表示GBIR值的值。以下，在本说明书中，将根据上述定义以正值负值表示的GBIR记载为“GBIR正值负值表示”。可以使用GBIR正值负值表示本身作为形状指标，也可以使用相对于目标形状的GBIR正值负值表示的相对值例如，测定结果的GBIR正值负值表示与目标形状的GBIR正值负值表示之差作为形状指标。另外，GBIR能够通过以假定将抛光后的半导体晶片的背面完全吸附时的该晶片的背面为基准，计算该晶片整体的最大位移和最小位移的差来求出，测定时能够使用市售的激光位移计。GBIR正值负值表示根据上述的晶片中心位置的厚度与平均厚度的大小关系。并且，虽使用GBIR正值负值表示作为半导体晶片的形状指标来进行说明，但并不限定于与全球平坦度相关的指标，只要是与平坦度相关的指标，则也可置换为根据其他定义的指标例如SFQR·ESFQR等。使用上述的形状指标作为目的变数Y，使用得到该形状指标时的双面抛光装置的抛光末期的装置日志数据当中的多个种类的装置数据种类，作为说明变数XX1，X2，……，XN；N为正整数，进行重回归分析。另外，优选使用包含双面抛光的终点的抛光末期的指定期间的平均值，作为装置日志数据，例如优选包含双面抛光的终点，且使用终点以前的30秒～120秒的平均值。通过重回归分析，得到下述式1的判定函数。Y＝A0+A1X1+A2X2+……ANXN……1其中，A0为常数，A1，A2，……，AN其中N为正整数为偏回归系数。并且，A0，A1，A2，……，AN能够通过最小平方法等的通常的统计方法求出。如后面的实施例中所述，通过本发明人等的研究，确认到由上述式1得到的形状指标的预测值和形状指标的实测值具有较强的复相关关系。因此，本发明人等看出，若将抛光中的装置日志数据适用于上述式1，则能够精确地评价抛光中的该时点的半导体晶片的形状指标，而能够判定双面抛光的抛光倾向与目标形状相比，抛光接近于中心凸形状或凹形状的程度。因此，在本实施方式中，一边继续进行半导体晶片的抛光，一边使用上述式1的判定函数评价半导体晶片的形状，基于该判定函数的值，调整抛光条件，并根据调整后的抛光条件进行抛光。第1工序S10中，将任意的初始抛光条件设定于双面抛光装置，开始半导体晶片的双面抛光。在第1工序S10中进行的抛光时间可以根据需要设定抛光时间。即，经过该抛光时间后，可以从第1工序S10转移到后续的第2工序S20。并且，为了提高抛光量的精度，也可当半导体晶片达到指定厚度时，从第1工序S10转移到第2工序S20，换言之，当半导体晶片达到指定厚度时，开始第2工序S20。第2工序S20中，继第1工序S10，根据与第1工序S10相同的初始抛光条件进行半导体晶片的双面抛光。第2工序S20中，在进行该双面抛光的同时，使用第1工序S10的抛光末期的装置日志数据，计算根据上述式1的判定函数的值步骤S21。然后，基于该判定函数的值，将调整了上述初始抛光条件的调整抛光条件设定于双面抛光装置步骤S22。以下，依次说明步骤S21、S22的具体方式。在步骤S21中，读取第1工序S10的抛光末期中的装置日志数据，使用该装置日志数据，将装置日志数据适用于上述式1，计算判定函数的值。基于计算出的判定函数的值进一步具体而言，基于比取得目标形状时的判定函数的值大或小、以及产生何种程度的差，能够精确地评价在第1工序的抛光末期时点时，半导体晶片的形状与目标形状的近似程度即，包含是否根据目标形状进行抛光的偏离程度的抛光倾向。因此，步骤S22中，基于判定函数的值，将调整了初始抛光条件的调整抛光条件设定于双面抛光装置。使用目标形状为中心凸形状的情况在这种情况下，GBIR正值负值表示为正值表示，进一步具体说明步骤S22中进行的抛光条件的调整。步骤S21中所计算的判定函数的值为大于目标形状的GBIR正值负值表示的值的情况下，能够评价为：第1工序S10的抛光末期的半导体晶片的形状为比目标形状更为中心凸形状。在这种情况下，进行修正进一步集中抛光半导体晶片的中心的抛光条件的调整。即，第1工序S10的抛光末期中，若比目标形状更为中心凸形状，则能够判定为：随着抛光环境变化，已变成在初始抛光条件下中心凸程度的产生过强的抛光条件，因此进行缓和中心凸程度的调整。相反地，步骤S21中所计算出的判定函数的值为小于目标形状的GBIR正值负值表示的值的情况下，能够评价为：第1工序S10的抛光末期的半导体晶片的形状为比目标形状更为中心凹形状。即，第1工序S10的抛光末期中，若为比目标形状更为中心凹形状，则能够判定为：随着抛光环境变化，已变成在初始抛光条件下中心凸程度的产生较弱的抛光条件。因此，在这种情况下，可以进行修正进一步集中抛光半导体晶片的外周的抛光条件的调整即，中心凸程度的加强。另外，已知例如若使平台转速增大或者使平台负载增大，则变成进一步集中抛光半导体晶片的外周部的抛光条件接近中心凸形状。相同地，已知例如若使平台转速降低或者使平台负载减少时，则变成进一步集中抛光半导体晶片的中心部的抛光条件接近中心凹形状。如此，只要变更抛光条件，就能够选择性地集中抛光半导体晶片的外周部或者中心部中的任一个，因此通过使用调整后的抛光条件进行抛光，能够使得第1工序S10的抛光末期中的半导体晶片形状接近目标形状。双面抛光装置的抛光条件当中，通过调整平台转速及平台负载，特别容易控制晶片中心部侧或者晶片外周部侧等在晶片径向上欲集中抛光的部分。因此，调整抛光条件优选包含双面抛光装置的平台转速及平台负载当中的至少任一个的调整，进一步优选进行增大或减少双面抛光装置的平台转速及平台负载两者的调整。另外，第2工序S20中的抛光时间为计算上述判定函数的值的计算时间及将基于该值调整的调整抛光条件设定于双面抛光装置的时间的总和，因此虽然根据双面抛光装置的规格而有所不同，但就算长也最多是几秒～几十秒程度。不过，在本实施方式中，由于是在原位in-situ调整抛光条件，因此即使在第2工序S20的期间也继续进行抛光。第3工序S30中，继第2工序S20进行双面抛光。在第1工序S10及第2工序S20中，根据初始抛光条件进行抛光，但在本第3工序S30中，根据通过第2工序S20所设定的调整抛光条件进行半导体晶片的双面抛光。而且，在本第3工序S30中，根据已述的调整抛光条件进行双面抛光，因此能够使得第3抛光工序S30后的半导体晶片的形状比第1抛光工序末期的半导体晶片的形状更接近目标形状。第3工序S30中的抛光时间为任意时间，也可根据需要设定抛光时间。但是，优选第3工序S30中的抛光时间为基于上述判定函数的值，进一步优选根据下述式2设定抛光时间。因为这样能够进行考虑到第1工序S10末期中与目标形状之差的抛光。[第3工序的抛光时间]＝B×|Y1-Y0|+C……2其中，B及C为依赖于目标形状的常数，包含C为0的情况。并且，Y1为通过第2工序S20所求出的判定函数的值，Y0为目标形状的形状指标的值，|Y1-Y0|表示Y1-Y0的绝对值。以上，在本实施方式中，事先求出上述的判定函数，再根据第1工序S10～第3工序S30，进行半导体晶片的双面抛光，因此能够对应抛光中的抛光环境变化，从而能够改善抛光质量。而且，将根据本实施方式的双面抛光方法适用于批量生产时，能够抑制所得到的半导体晶片的抛光质量的偏差。另外，当然也可以理解成，只要求出一次上述判定函数，则在批量生产阶段实施根据本实施方式的抛光时，就无须再次求出该判定函数。另外，为了进一步提高判定函数的值的可靠性，优选将本实施方式的第2工序S20中使用的装置日志数据与事先求出判定函数的工序S0中使用过的装置日志数据整合。即，在事先求出判定函数的工序S0中，使用双面抛光的终点以前的指定期间的平均值如已述，例如30秒～120秒的平均值作为装置日志数据的情况下，在第2工序S20中，也优选使用与第1工序S10的终点以前的上述指定期间相同的期间的平均值。另外，在上述实施方式中，以在第3工序S30中进行抛光为前提进行了说明，但是，假设在第2工序S20中计算得出的判定函数的值与目标形状的形状指标的值一致的情况下，也可不进行第3工序S30中的抛光。即，调整抛光条件中包含停止抛光的情况。在这种情况下，与其说是调整第3工序S30的抛光时间，不如说是将抛光条件调整为停止平台旋转或将平台负载调整为无负载。并且，第1工序S10～第3工序S30中的总抛光时间能够设为双面抛光中的通常的抛光时间，例如能够设为20分钟～1小时左右。并且，优选将第1工序S10的抛光时间设为总抛光时间的50％以上，进一步优选设为80％以上。这是因为，第3工序S30中的抛光是以根据第1工序S10的抛光的修正为目的的抛光。另外，根据本实施方式的双面抛光方法至少包含上述的工序S0～S30。在第3工序S30之后，也可以与本实施方式的第2工序S20及第3工序S30相同地，进一步计算判定函数的值，并基于该判定函数的值，将再调整了第3工序的抛光条件的再调整抛光条件设定于双面抛光装置，而进行抛光。并且，根据本实施方式的双面抛光方法之后，也可以停止抛光，改变滴下浆料的种类，使用无磨粒的浆料等再进行精抛。以下，对能够适用于本实施方式的具体的方式进行说明，但本实施方式不受以下方式任何限制。载板30能够使用任意材质，例如使用不锈钢SUS：SteelspecialUseStainless：特殊用途不锈钢，或者环氧树脂、苯酚及聚酰亚胺等的树脂材料，进一步使用将玻璃纤维、碳纤维、芳香族聚酰胺纤维等的强化纤维复合在树脂材料中的纤维强化塑胶等。使用树脂材料等的磨损快的载板的情况下，抛光环境变化剧烈，因此优选提供根据本实施方式的抛光方法。并且，抛光垫60a及60b和浆料能够使用任意种类，例如能够使用由聚酯制的无纺布做成的垫及聚氨酯制的垫等来做为抛光垫。能够使用包含游离磨粒的碱性水溶液等作为滴下浆料。作为本发明对象的半导体晶片虽优选为硅晶片，但也能够将本发明适用于进行双面抛光的任意半导体晶片的双面抛光，例如，SiC晶片、蓝宝石晶片及化合物半导体晶片等。实施例接着，为了进一步明确本发明的效果，举出以下实施例，但本发明不受以下实施例任何限制。首先，根据图3的流程图中的工序S0，如下求出判定函数。使用与上述图2所示的结构相同的双面抛光装置。并且，使用了初始厚度790μm、直径300mm、P++型的硅晶片作为半导体晶片。并且，本实施例中使用的载板为SUS制，都是使用相同载具。另外，在该双面抛光装置中，对1片载板设置1片硅晶片，每1批次设置5片载板。然后，进行双面抛光，直到硅晶片的厚度为777μm为止。在双面抛光期间，持续获取了双面抛光装置的装置日志数据。通过升降机在一定的平台负荷压力之下，一边将载板夹持在上下平台之间，一边使上平台及下平台以彼此相反的方向旋转。载板通过内齿轮、中心齿轮及载板的外周齿轮的啮合而以与上平台相同方向旋转，对一片一片装填于载板的5片硅晶片的正面和背面进行了抛光。另外，上平台、下平台、内齿轮及中心齿轮分别通过不同的马达旋转。另外，装置日志数据包含下述装置数据种类。x1浆料流量[L分钟]x2浆料的流入温度[℃]x3恒温水的流入温度[℃]x4上平台的负荷率负荷电流值％x5下平台的负荷率负荷电流值％x6中心齿轮负荷率负荷电流值％另外，x4～x6的负荷电流值将上平台、下平台及中心齿轮的实际使用电流值[A]相对于各自的马达规格最大容量[A]的比以％表示，实际使用电流值等于马达规格最大容量时为100％。以下，将抛光后的目标形状中的GBIR正值负值表示简称为“目标形状值”。用平坦度测定装置KLA-Tencor公司制造：WaferSight测定了抛光后的硅晶片各自的GBIR正值负值表示。将与从抛光后的GBIR正值负值表示的实测值减去抛光后的目标形状值而得的目标形状值之差示于图4的图表。不过，图4的图表中，以相对值表示与目标形状值之差。另外，本实施例中，以中心凸形状为抛光后的目标形状，因此若是与目标形状值之差为正值的值，则表示比目标形状更为中心凸形状，若是与目标形状值之差为负值的值，则表示比目标形状更中心凹形状。接着，将距离目标形状值之差作为目的变数Y，将说明变数作为上述x1～x6，进行重回归分析，结果得到下述式3。另外，上述x1～x6分别为包含抛光结束时在内的抛光结束以前的60秒的平均值。[数1]Y＝-0.00363x1+0.003336x2-0.017465x3+0.000159x4+0.000323x5+0.000036x6+3.91257……式3将通过上述式3所得到的距离目标形状值之差的预测值一并示于图4。实测值和预测值的复相关系数为0.85，可以说是具有非常强的复相关关系。使用上述式3，根据图3的流程图的工序S10～S30，进行了硅晶片的双面抛光。硅晶片及抛光的初始条件设为与求取判定函数时的条件相同。并且，第1工序的抛光时间设为1500秒，在抛光开始起算经过了1500秒的时点，开始第2工序的计算，根据上述式3计算了判定函数的值α。另外，使用了第1工序的最后60秒之间即，1460～1500秒间的平均值作为第2工序中使用的装置日志数据。在第2工序S20中，当判定函数的值α为正值的情况下，使上平台的转速从初始抛光条件增大1.35rpm，并且，使平台负载增大10％，由此调整了抛光条件。另外，判定函数的值d为负值的情况下，使上平台的转速从初始抛光条件减少1.35rpm，并且，使平台负载减少10％，由此调整了抛光条件。另外，判定函数的值d不存在为零的情况。并且，将第3工序S30中的抛光时间设为如下述式4。[第3工序的抛光时间]＝12.57×d……4对23批次合计115片的硅晶片进行根据以上条件的双面抛光，测定所有的晶片的GBIR正值负值表示，视为根据本发明例的测定结果。将抛光后的晶片的GBIR正值负值表示为从目标形状值的GBIR正值负值表示±10nm的范围内的晶片判定为合格，并判定了合格率。若将求取判定函数时测定的晶片的GBIR正值负值表示视为现有技术的结果，则根据现有技术的合格判定率为78.5％，相对于此，可确认到根据本发明例的合格判定率改善至93.8％。由以上结果可认为，之所以能够在合格判定率观察到大幅改善，是因为根据本发明的双面抛光方法中，能够对应抛光中的抛光环境变化。并且，也确认到，由于能够对应抛光中的抛光环境变化，因此抑制了抛光质量的偏差。产业上的可利用性根据本发明的半导体晶片的双面抛光方法，能够通过对应抛光中的抛光环境变化，抑制抛光质量的偏差。附图标记说明1-抛光装置，20-半导体晶片，30-载板，40-保持孔，50a-上平台，50b-下平台，60a-抛光垫，60b-抛光垫，70-中心齿轮，80-内齿轮，90a-马达，90b-马达，90c-马达，90d-马达，110-测定部，120-控制部。

权利要求：1.一种半导体晶片的双面抛光方法，其使用双面抛光装置进行半导体晶片的双面抛光，该方法的特征在于，包括：基于使用所述双面抛光装置结束双面抛光后的多个半导体晶片的形状指标、及对应该形状指标的所述双面抛光装置的抛光末期的装置日志数据，进行重回归分析，事先求出判定所述双面抛光的抛光倾向的判定函数的工序；第1工序，根据初始抛光条件，开始所述半导体晶片的双面抛光；第2工序，继所述第1工序，根据所述初始抛光条件进行所述半导体晶片的双面抛光，同时使用所述第1工序的抛光末期中的装置日志数据计算所述判定函数的值，基于该判定函数的值，将调整了所述初始抛光条件的调整抛光条件设定于所述双面抛光装置；及第3工序，继所述第2工序，根据所述调整抛光条件进行所述半导体晶片的双面抛光。2.根据权利要求1所述的半导体晶片的双面抛光方法，其中，所述第3工序中的抛光时间基于所述判定函数的值。3.根据权利要求1或2所述的半导体晶片的双面抛光方法，其中，所述调整抛光条件包含所述双面抛光装置的平台转速及平台负载中的至少任一个的调整。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体晶片的双面抛光方法，其中，在所述半导体晶片达到指定厚度时，开始所述第2工序。

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