申请/专利权人：深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司

申请日：2022-10-13

公开（公告）日：2022-11-11

公开（公告）号：CN115332317A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/16;H01L29/78;H01L21/336

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2024.02.09#发明专利申请公布后的驳回;2022.11.29#实质审查的生效;2022.11.11#公开

摘要：本发明涉及功率半导体技术领域，具体提供一种集成SBD的碳化硅平面MOSFET及其制造方法，其中方法包括：N型衬底，在N型衬底上生长N型外延层；在N型外延层上离子注入JFET区；在N型外延层上离子注入两个Pwell区；在两个Pwell区上分别离子注入P+区；在两个Pwell区上分别离子注入N+区；在两个Pwell区上分别离子注入沟道区；刻蚀栅极结构；在两个栅极结构之间形成肖特基接触区；肖特基接触区与栅极结构之间设有绝缘氧化层；在P+区、部分N+区的上方以及N型衬底的下表面金属溅射欧姆接触区；在栅极结构和位于P+区、部分N+区的上方的欧姆接触区的上方金属淀积第一金属层形成源极、栅极金属接触；在N型衬底下表面的欧姆接触区的下表面淀积第二金属层形成漏极金属接触。

主权项：1.集成SBD的碳化硅平面MOSFET的制造方法，其特征在于，包括：N型衬底，在N型衬底的上表面生长N型外延层；在N型外延层上离子注入JFET区；在N型外延层上离子注入位于JFET区两侧的Pwell区；在两个Pwell区的远离JFET区的一侧上分别离子注入P+区；在两个Pwell区上分别离子注入位于P+区靠近JFET区的一侧的N+区；在两个Pwell区上分别离子注入位于N+区靠近JFET区的一侧的沟道区；在部分N+区、沟道区和部分JFET区的上方刻蚀栅极结构；在两个栅极结构之间形成肖特基接触区；所述肖特基接触区与所述栅极结构之间设有绝缘氧化层；在P+区、部分N+区的上方以及N型衬底的下表面金属溅射欧姆接触区；在栅极结构和位于P+区、部分N+区的上方的欧姆接触区的上方金属淀积第一金属层形成源极、栅极金属接触；在N型衬底下表面的欧姆接触区的下表面金属溅射淀积第二金属层形成漏极金属接触。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司 集成SBD的碳化硅平面MOSFET及其制造方法

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