申请/专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司

申请日：2022-09-26

公开（公告）日：2023-01-03

公开（公告）号：CN115566058A

主分类号：H01L29/739

分类号：H01L29/739;H01L29/423;H01L21/331;H01L29/40;H01L21/28

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.01.20#实质审查的生效;2023.01.03#公开

摘要：本申请实施例涉及一种IGBT器件及IGBT器件的制备方法，其中，IGBT器件包括元胞区，在元胞区内设置有多个沟槽栅，多个沟槽栅至少包括第一沟槽栅和第二沟槽栅，第一沟槽栅的横截面积和第二沟槽栅的横截面积不同，第一沟槽栅的深度和第二沟槽栅的深度相同；第一沟槽栅和第二沟槽栅均连接至栅极电位；如此，从而有利于调节器件的反馈电容，改善器件的开关特性，避免电流震荡问题，提高器件工作的稳定性。

主权项：1.一种IGBT器件，其特征在于，所述IGBT器件包括元胞区，在所述元胞区内设置有多个沟槽栅，其中，多个所述沟槽栅至少包括第一沟槽栅和第二沟槽栅，所述第一沟槽栅的横截面积和所述第二沟槽栅的横截面积不同，所述第一沟槽栅的深度和所述第二沟槽栅的深度相同；所述第一沟槽栅和所述第二沟槽栅均连接至栅极电位。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 IGBT器件及IGBT器件的制备方法

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