申请/专利权人：北京中博芯半导体科技有限公司

申请日：2022-09-21

公开（公告）日：2023-01-06

公开（公告）号：CN115579429A

主分类号：H01L33/00

分类号：H01L33/00;H01L33/12;H01L33/22;C23C14/06;C23C16/34;B82Y10/00;B82Y30/00;B82Y40/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.01.24#实质审查的生效;2023.01.06#公开

摘要：本申请公开了一种外延膜制备方法，包括以下步骤：于衬底上生长缓冲层；对所述缓冲层以及所述衬底进行退火，以使所述缓冲层二次结晶且形成有孔洞结构；于所述缓冲层上形成图形结构；于所述缓冲层的图形结构上生长外延层，本申请的外延膜制备方法能够提高外延膜的晶体质量。

主权项：1.一种外延膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：于衬底上生长缓冲层；对所述缓冲层以及所述衬底进行退火，以使所述缓冲层二次结晶形成孔洞结构；于所述缓冲层上形成图形结构；于所述缓冲层的图形结构上生长外延层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京中博芯半导体科技有限公司 外延膜制备方法

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