申请/专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司

申请日：2022-11-29

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN115986023B

主分类号：H01L33/14

分类号：H01L33/14;H01L33/06;H01L33/24;H01L33/32

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2023.05.05#实质审查的生效;2023.04.18#公开

摘要：本发明涉及发光二极管制造领域，公开了一种发光二极管的外延片，包括衬底，以及依次位于其上的AlN缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、第三多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层和P型接触层，在第一和第二多量子阱层之间，和或第二和第三多量子阱层之间，和或第二多量子阱层内部还设有AlxInyGa（1‑x‑y）N层，1≥x＞0，1＞y≥0。本发明在第一和第二多量子阱层之间，和或第二和第三多量子阱层之间，和或第二多量子阱层内部插入数层禁带宽度较大的ALN层增加电子减速效果，降低部分电子扩散到P型发生非辐射复合，同时增加V型凹坑侧壁发光比例，从而提高整体发光辐射效率。

主权项：1.一种发光二极管的外延片，包括衬底（101），以及依次位于衬底上的AlN缓冲层（102）、U型GaN层（103）、N型GaN层（104）、第一多量子阱层（105）、第二多量子阱层（106）、第三多量子阱层（107）、电子阻挡层（108）、P型GaN层（109）和P型接触层（110），其特征在于，在所述第一多量子阱层（105）与所述第二多量子阱层（106）之间，所述第二多量子阱层（106）与所述第三多量子阱层（107）之间，所述第二多量子阱层（106）内部还设有插入层（111），所述插入层为AlxInyGa（1-x-y）N层（111），1≥x＞0，1＞y≥0，其中，所述第二多量子阱层（106）包含2-12个周期的第二InGaN阱层和第二GaN垒层形成的超晶格结构，所述插入层（111）设于所述第二多量子阱层（106）内部的层数为1-6层且厚度由从下至上依次变薄。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 一种外延片及包含该外延片的发光二极管

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