申请/专利权人：清华大学深圳国际研究生院

申请日：2022-10-12

公开（公告）日：2023-01-06

公开（公告）号：CN115579435A

主分类号：H01L33/06

分类号：H01L33/06;H01L33/20;H01L33/24;H01L33/32;H01L27/15;H01L33/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.01.24#实质审查的生效;2023.01.06#公开

摘要：本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种含有量子阱的外延片、Micro‑LED阵列芯片及其制备方法。该外延片包括由下至上依次设置的蓝宝石衬底、第一掺杂层、多量子阱层和第二掺杂层；其中，所述蓝宝石衬底上设置有若干个阵列分布的岛状结构，相邻的岛状结构之间形成凹陷结构，所述第一掺杂层、多量子阱层和第二掺杂层设置在所述凹陷结构内。以此外延片为组件制得的Micro‑LED阵列芯片，可以实现将更多的像素集成在同一块芯片上，且每个像素可以做到几十微米甚至更小，大大提升了Micro‑LED显示的分辨率。由于Micro‑LED阵列是通过微纳工艺和新型半导体工艺在同一芯片上加工集成的，因此相比巨量转移后的Micro‑LED显示器件就有更高的一致性、紧凑性以及更短的制备周期与成品可靠性。

主权项：1.一种含有量子阱的外延片，其特征在于，包括：由下至上依次设置的蓝宝石衬底、第一掺杂层、多量子阱层和第二掺杂层；其中，所述蓝宝石衬底上设置有若干个阵列分布的岛状结构，相邻的岛状结构之间形成凹陷结构，所述第一掺杂层、多量子阱层和第二掺杂层设置在所述凹陷结构内。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 清华大学深圳国际研究生院 一种含有量子阱的外延片、Micro-LED阵列芯片及其制备方法

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