申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2022-11-01

公开（公告）日：2023-01-06

公开（公告）号：CN115581067A

主分类号：H10B12/00

分类号：H10B12/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.01.24#实质审查的生效;2023.01.06#公开

摘要：本公开提供了一种半导体结构的制作方法，包括：提供目标基底，在目标基底上依次形成第一图案层和第二图案层，第一图案层具有第一刻蚀图案，第二图案层具有第二刻蚀图案；在第二图案层上形成填充层，并对填充层背离目标基底的一侧进行平坦化处理，以使阵列区、外围区和交界区上的填充层的顶面平齐；在填充层上形成掩膜，掩膜覆盖外围区和交界区；根据第一刻蚀图案和第二刻蚀图案对目标基底进行刻蚀，形成电容孔。通过在图案层上形成填充层，并对填充层进行平坦化处理，消除了半导体阵列区和外围区形成的纵向尺寸差，克服了半导体制造缺陷，进一步提升了电容孔的质量。

主权项：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供目标基底，所述目标基底包括阵列区、外围区以及连接所述阵列区和所述外围区的交界区；在所述目标基底上依次形成第一图案层和第二图案层，所述第一图案层具有第一刻蚀图案，所述第二图案层具有第二刻蚀图案；在所述第二图案层上形成填充层，并对所述填充层背离所述目标基底的一侧进行平坦化处理，以使所述阵列区、所述外围区和所述交界区上的所述填充层的顶面平齐；在所述填充层上形成掩膜，所述掩膜覆盖所述外围区和所述交界区；根据所述第一刻蚀图案和所述第二刻蚀图案对所述目标基底进行刻蚀，形成电容孔。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及其制作方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD