申请/专利权人：格科微电子(上海)有限公司

申请日：2021-09-15

公开（公告）日：2023-03-17

公开（公告）号：CN115810641A

主分类号：H01L27/146

分类号：H01L27/146

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.04.04#实质审查的生效;2023.03.17#公开

摘要：一种CMOS图像传感器及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成埋沟掺杂区；在所述半导体衬底的表面形成栅极；形成轻掺杂漏区，所述轻掺杂漏区位于所述栅极两侧的半导体衬底内；在所述栅极的侧壁表面形成侧墙，以得到栅极结构；形成源区和漏区，所述源区和漏区分别位于所述栅极结构两侧的半导体衬底内；其中，所述埋沟掺杂区的掺杂类型与所述轻掺杂漏区的掺杂类型一致，且所述埋沟掺杂区的掺杂浓度小于所述轻掺杂漏区的掺杂浓度；在平行于器件沟道的延伸方向上，所述第一掺杂区大于所述漏区且覆盖所述漏区。本发明可以减少载流子复合发光，提高图像传感器的成像质量。

主权项：1.一种CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成埋沟掺杂区；在所述半导体衬底的表面形成栅极；形成轻掺杂漏区，所述轻掺杂漏区位于所述栅极两侧的半导体衬底内；在所述栅极的侧壁表面形成侧墙，以得到栅极结构；形成源区和漏区，所述源区和漏区分别位于所述栅极结构两侧的半导体衬底内；其中，所述埋沟掺杂区的掺杂类型与所述轻掺杂漏区的掺杂类型一致，且所述埋沟掺杂区的掺杂浓度小于所述轻掺杂漏区的掺杂浓度；所述埋沟掺杂区包括位于所述漏区一侧的半导体衬底内的第一掺杂区，所述第一掺杂区与所述漏区一侧的轻掺杂漏区具有重叠区域，且所述第一掺杂区的边界延伸至所述栅极的下方；在平行于器件沟道的延伸方向上，所述第一掺杂区大于所述漏区且覆盖所述漏区。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 格科微电子(上海)有限公司 CMOS图像传感器及其形成方法

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