申请/专利权人：旺宏电子股份有限公司

申请日：2021-09-29

公开（公告）日：2023-03-21

公开（公告）号：CN115831192A

主分类号：G11C16/04

分类号：G11C16/04;G11C16/08;G11C16/26

优先权：["20210916 US 17/477,205"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.04.07#实质审查的生效;2023.03.21#公开

摘要：本发明提供一种三维存储器装置，如三维与门快闪存储器3DANDFlashmemory装置。三维存储器装置包括多条字线、多个第一开关、多个第二开关以及N个导线层，N为大于1的正整数。字线区分为多个字线群组。第一开关接收共同字线电压。第二开关接收至参考接地电压。第一个字线群组通过第二导线层以连接第一导线层，第i个字线群组依序通过第i+1导线层至该第二导线层以连接第一导线层，其中N＞i＞1。

主权项：1.一种三维存储器装置，其特征在于，包括：多条字线，区分为多个字线群组；多个第一开关，接收一共同字线电压；多个第二开关，接收至一参考接地电压；以及N个导线层，N为大于1的正整数，其中，在这些导线层中：第一导线层的多条传输导线与第二导线层的多条传输导线相连接，该第一导线层的这些传输导线分别耦接至这些第一开关以及这些第二开关，在这些字线群组中：第一个字线群组通过该第二导线层以连接该第一导线层，第i个字线群组依序通过第i+1导线层至该第二导线层以连接该第一导线层，其中N＞i＞1。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 旺宏电子股份有限公司 三维存储器装置

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD