申请/专利权人：上海埃积半导体有限公司

申请日：2022-12-05

公开（公告）日：2023-03-21

公开（公告）号：CN218677152U

主分类号：H01L25/18

分类号：H01L25/18

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.03.21#授权

摘要：本实用新型提供IGBT器件封装结构，包括：焊接底板、IGBT芯片、FRD芯片；所述FRD芯片的阳极端通过导电胶与所述IGBT芯片的发射极端粘贴连接形成所述IGBT芯片和所述FRD芯片的纵向叠封结构，所述FRD芯片的阴极端与所述焊接底板通过打线连接；所述IGBT芯片的集电极端与所述焊接底板连接，所述焊接底板与集电极引出端连接，所述IGBT芯片的发射极端通过打线与发射极引出端连接。本实用新型提出了一种IGBT、FRD组合封装结构，可有效提高单个封装体可封装的IGBT、FRD组合数量，从而有效提高单个封装体的电流等级。

主权项：1.一种IGBT器件封装结构，其特征在于，包括：焊接底板、IGBT芯片、FRD芯片；所述FRD芯片的阳极端通过导电胶与所述IGBT芯片的发射极端粘贴连接形成所述IGBT芯片和所述FRD芯片的纵向叠封结构，所述FRD芯片的阴极端与所述焊接底板通过打线连接；所述IGBT芯片的集电极端与所述焊接底板连接，所述焊接底板与集电极引出端连接，所述IGBT芯片的发射极端通过打线与发射极引出端连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海埃积半导体有限公司 IGBT器件封装结构

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