申请/专利权人：浙江芯科半导体有限公司

申请日：2023-02-15

公开（公告）日：2023-05-23

公开（公告）号：CN116153995A

主分类号：H01L29/778

分类号：H01L29/778;H01L29/423;H01L21/335

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.06.09#实质审查的生效;2023.05.23#公开

摘要：本申请公开了GaNHEMT器件及其制备方法，其中，GANHEMT器件包括：Al2O3衬底，具有第一表面和第二表面；本征GaN外延层，位于Al2O3衬底的第一表面；AlGaN外延层，位于本征GaN外延层的表面；h‑BN栅介质层，位于AlGaN外延层的表面；栅金属电极，位于h‑BN栅介质层的表面；源金属电极，位于AlGaN外延层的表面；漏金属电极，位于AlGaN外延层的表面，漏金属电极和源金属电极分别位于h‑BN栅介质层的两侧。本申请栅介质层采用的是二维材料h‑BN，h‑BN栅介质层和AlGaN外延层之间的接触形成了范德华界面，具有更好的界面质量；h‑BN栅介质层的介电常数与SiO2相比要更高，且具有更良好的绝缘效果，相比SiO2，更不容易被击穿，所以能使器件有更好的栅极调控效应；h‑BN的获取方法简单，具有易操作、成本低的优势。

主权项：1.一种GANHEMT器件，其特征在于，包括：Al2O3衬底，具有第一表面和第二表面；本征GaN外延层，位于所述Al2O3衬底的第一表面；AlGaN外延层，位于所述本征GaN外延层的表面；h-BN栅介质层，位于所述AlGaN外延层的表面；栅金属电极，位于所述h-BN栅介质层的表面；源金属电极，位于所述AlGaN外延层的表面；漏金属电极，位于所述AlGaN外延层的表面，漏金属电极和源金属电极分别位于h-BN栅介质层的两侧。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江芯科半导体有限公司 GaN HEMT器件及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD