申请/专利权人：联华电子股份有限公司

申请日：2021-11-17

公开（公告）日：2023-05-23

公开（公告）号：CN116156995A

主分类号：H10N50/10

分类号：H10N50/10;H10N50/80;H10N50/01;H10B61/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.06.09#实质审查的生效;2023.05.23#公开

摘要：本发明提供一种半导体结构，包含一磁性隧穿结magnetictunnelingjunction，MTJ，堆叠结构设于一基底上，一自旋轨道转矩式spinorbittorque，SOT层设于该MTJ堆叠结构上，其中该SOT层包含有一厚度较厚的第一部分以及两厚度较薄的第二部分。

主权项：1.一种半导体结构，包含:磁性隧穿结magnetictunnelingjunction，MTJ堆叠结构，设于基底上；自旋轨道转矩式spinorbittorque，SOT层，设于该MTJ堆叠结构上，其中该SOT层包含有一厚度较厚的第一部分以及两个厚度较薄的第二部分。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 联华电子股份有限公司 半导体结构及其制作方法

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