申请/专利权人：苏州兆芯半导体科技有限公司

申请日：2022-12-06

公开（公告）日：2023-05-26

公开（公告）号：CN116168743A

主分类号：G11C11/419

分类号：G11C11/419

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.06.13#实质审查的生效;2023.05.26#公开

摘要：本申请实施例提供一种存储电路、存储芯片及电子设备。该存储电路包括子读出电路、读位线、至少一个读辅助单元、以及多个静态随机存取存储器SRAM单元，其中，读位线分别与子读出电路、至少一个读辅助单元和多个SRAM单元连接；子读出电路用于通过多个SRAM单元进行读操作；读辅助单元为对SRAM单元的电路连接关系进行更新得到的，读辅助单元用于调节读位线的电位。不仅提高了读1操作的成功率和加速了读0操作的速度，还避免了存储电路的面积开销过大。

主权项：1.一种存储电路，其特征在于，包括子读出电路、读位线、至少一个读辅助单元、以及多个静态随机存取存储器SRAM单元，其中，所述读位线分别与所述子读出电路、所述至少一个读辅助单元和所述多个SRAM单元连接；所述子读出电路用于通过所述多个SRAM单元进行读操作；所述读辅助单元为对所述SRAM单元的电路连接关系进行更新得到的，所述读辅助单元用于调节所述读位线的电位。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州兆芯半导体科技有限公司 存储电路、存储芯片及电子设备

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD