申请/专利权人：湖北文理学院

申请日：2021-01-06

公开（公告）日：2023-06-20

公开（公告）号：CN112736132B

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/20;H01L29/778;H01L21/335

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.06.20#授权;2021.05.21#实质审查的生效;2021.04.30#公开

摘要：本发明公开了一种InPPHEMT外延结构及其制备方法，所述外延结构包括由下至上依次层叠设置的InP衬底、递变缓冲层、沟道层、隔离层、Si平面掺杂层、势垒层、刻蚀停止层、第一接触层和第二接触层，所述递变缓冲层的材料为InxA11‑xAs，其中，x自所述递变缓冲层的下端至上端由0.52至0.8依次连续递增，所述沟道层的材料为InyGa1‑yAs，0.8≤y≤1。由于递变缓冲层中的In组分连续递变，增大了虚拟衬底的晶格常数且晶格常数缓慢变大，有利于生长高质量高In组分的沟道层，提到了InPPHEMT外延结构二维电子气的电子迁移率。

主权项：1.一种InPPHEMT外延结构，其特征在于，包括由下至上依次层叠设置的InP衬底、下缓冲层、递变缓冲层、上缓冲层、沟道层、隔离层、Si平面掺杂层、势垒层、刻蚀停止层、第一接触层和第二接触层，所述下缓冲层的材料为InP、In0.52Al0.48As或者In0.53Ga0.47As中的任意一种；所述上缓冲层的材料为InzA11-zAs，其中，0.7≤z≤0.9；所述递变缓冲层的材料为InxA11-xAs，其中，x自所述递变缓冲层的下端至上端由0.52至0.8依次连续递增；所述沟道层的材料为InyGa1-yAs，0.8≤y≤1；所述第一接触层的材料为掺杂Si的N型InkGa1-kAs，0.8≤k≤0.9；所述第二接触层的材料为掺杂Si的N型InAs。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湖北文理学院 InP PHEMT外延结构及其制备方法

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