申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2023-04-23

公开（公告）日：2023-06-23

公开（公告）号：CN116313811A

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/78

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.07.11#实质审查的生效;2023.06.23#公开

摘要：本发明公开了一种高压NLDMOS器件，在P型衬底中具有N型深阱，N型深阱的表面覆盖一段场氧，所述场氧的两端分别具有所述NLDMOS器件的源区和漏区，N型深阱中具有P阱，所述P阱中及场氧下方具有Ptop层；在源区以及P阱引出区的上方具有源端金属场板，与源区以及P阱引出区相连，所述场氧之上具有多晶硅场板，所述漏区上方具有漏端金属场板；所述多晶硅场板通过接触孔及金属互联线与所述的漏端金属场板及所述漏区相连；所述源区与所述漏区的正下方具有P型注入层，其深度大于Ptop层，能避免导通电流的减小，使漏端耗尽区面积增加，场氧右端电场线被拉起，击穿电压得到提高。本发明还公开了所述高压NLDMOS器件的工艺方法，仅增加一次注入工艺，简单易于实施。

主权项：1.一种高压NLDMOS器件的工艺方法，其特征在于：包含如下的工艺步骤：步骤1，提供一P型半导体衬底，在所述P型衬底中进行N型离子注入形成N型深阱；步骤2，利用有源区光刻打开场氧区域，刻蚀出场氧区，生长场氧；步骤3，利用光刻工艺打开阱注入区，离子注入形成P阱；步骤4，进行Ptop层的注入，形成Ptop层，所述Ptop层形成于P阱的中下部以及N型深阱中的场氧下方；步骤5，生长栅氧化层，淀积多晶硅层并对所述多晶硅层进行刻蚀，形成多晶硅栅极以及位于场氧上的漏端多晶硅场板；步骤6，进行源区及漏区注入以形成所述NLDMOS的源区及漏区，以及P阱中重掺杂P型区注入形成P阱引出区；再利用源区和漏区的掩膜版再次进行高能量的P型离子注入，在所述源区和漏区的正下方再形成P型注入层；步骤7，淀积层间介质，刻蚀接触孔，淀积金属层并刻蚀形成金属连线及场板，引出各电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 高压NLDMOS器件及工艺方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD