申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司

申请日：2022-11-30

公开（公告）日：2023-03-07

公开（公告）号：CN115763361A

主分类号：H01L21/762

分类号：H01L21/762;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.03.24#实质审查的生效;2023.03.07#公开

摘要：本申请公开了一种基于深沟槽隔离的NLDMOS器件制作方法，属于半导体器件及制造领域。该方法包括：对深沟槽进行倾斜角度的N+型注入，满足器件不同电压规格的需求；NBL和DTI侧壁N+相连等电位，使器件满足Highside应用，深槽隔离DTI工艺可以满足功率集成电路高压区域和低压区域的隔离需求；加入CFP结构，CTPlate接在SAB上，场氧厚度增加，在不新增mask的基础上，BV提升约15％。

主权项：1.一种基于深沟槽隔离的NLDMOS器件制作方法，其特征在于，包括：对定义了阻挡层的外延片进行刻蚀形成深沟槽和浅沟槽；对所述深沟槽进行倾斜角度的N+型注入，与所述阻挡层相连；沉积多晶硅层，并刻蚀形成栅极；进行N+和P+注入形成源极和漏极；沉积SAB氧化层,并完成刻蚀，保留局部浅沟槽上面的SAB氧化层，形成场氧；形成CFP结构，所述CFP结构用于降低表面电场。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 基于深沟槽隔离的NLDMOS器件制作方法

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