申请/专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司

申请日：2023-02-28

公开（公告）日：2023-05-09

公开（公告）号：CN116092944A

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.05.26#实质审查的生效;2023.05.09#公开

摘要：本发明提供一种NLDMOS管及其制备方法，NLDMOS管的制备方法包括：在半导体衬底上依次形成局部场氧和栅极结构，局部场氧的边缘处具有第一端部区域，栅极结构包括相互连接的第一部分和第二部分，第一部分位于半导体衬底上，第二部分位于局部场氧上，且第一部分和第二部分的交界处位于第一端部区域上；对第一部分进行n型离子注入；对第二部分进行p型离子注入，形成n型掺杂的第一部分和p型掺杂的第二部分，第二部分能够降低所述栅极结构与局部场氧之间的电势差，从而降低了由于栅极结构所引起的寄生电容的总电量，提高了NLDMOS管的开关速度，降低了半导体器件的功耗、增强了半导体器件的稳定性；还提高半导体器件的耐压水平。

主权项：1.一种NLDMOS管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在半导体衬底上依次形成局部场氧和栅极结构，其中，所述局部场氧的边缘处具有第一端部区域，所述栅极结构包括相互连接的第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述半导体衬底上，所述第二部分位于所述局部场氧上，且所述第一部分和第二部分的交界处位于所述第一端部区域上；在所述半导体衬底上形成图形化的第一掩模层，图形化的所述第一掩模层覆盖所述第二部分，并以图形化的所述第一掩模层为掩模，对所述第一部分进行n型离子注入，再去除所述第一掩模层；以及在所述半导体衬底上形成图形化的第二掩模层，图形化的所述第二掩模层覆盖所述第一部分，并以图形化的所述第二掩模层为掩模，对所述第二部分进行p型离子注入，再去除所述第二掩模层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 一种NLDMOS管及其制备方法

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