申请/专利权人：上海帝迪集成电路设计有限公司

申请日：2022-10-26

公开（公告）日：2023-03-03

公开（公告）号：CN218568842U

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.03.03#授权

摘要：本实用新型公开了一种自保护NLDMOS结构，涉及半导体技术领域，N型埋层位于P型衬底和P型外延层之间，P型衬底内有P型掺杂阳极层，N型埋层与P型掺杂阳极层构成钳位保护二极管，N型埋层的相邻位置有P型掺杂阳极层引出环；P型掺杂阳极层引出环上设有P阱；P阱与位于硅表面的P+有源区连接；P+有源区为钳位保护二极管的阳极引出端；N型埋层上有N阱，N阱与硅表面的N+有源区连接，N+有源区为钳位保护二极管的阴极引出端；本实用新型通过增加注入P型掺杂阳极层，在NLDMOS本身的隔离N型埋层与衬底之间的硅体内形成一个雪崩击穿钳位原理的保护二极管，实现了不占用表面面积而提供电过应力自保护功能。

主权项：1.一种自保护NLDMOS结构，包括：NLDMOS功率开关管，其特征在于，所述NLDMOS功率开关管的N型埋层4位于P型衬底1和P型外延层2之间，所述P型衬底1内有P型掺杂阳极层3，所述P型掺杂阳极层3成形于所述N型埋层4对应位置，所述N型埋层4与所述P型掺杂阳极层3构成钳位保护二极管，所述N型埋层4的相邻位置有P型掺杂阳极层引出环5；所述P型掺杂阳极层引出环5上设有P阱7；所述P阱7与P+有源区9连接，所述P+有源区9位于硅表面；所述P+有源区9为所述钳位保护二极管的阳极引出端；所述N型埋层4上有N阱6，所述N阱6与N+有源区10连接，所述N+有源区10位于硅表面，所述N+有源区10为所述钳位保护二极管的阴极引出端。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海帝迪集成电路设计有限公司 一种自保护NLDMOS结构

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