申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司

申请日：2022-11-30

公开（公告）日：2023-06-02

公开（公告）号：CN116206978A

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/06;H01L29/36

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.06.20#实质审查的生效;2023.06.02#公开

摘要：本申请公开了一种基于深沟槽隔离的NLDMOS器件制作方法，属于半导体器件及制造领域。该方法包括：对深沟槽进行倾斜角度的N+型注入，满足器件不同电压规格的需求；NBL和DTI侧壁N+相连等电位，使器件满足Highside应用，深槽隔离DTI工艺可以满足功率集成电路高压区域和低压区域的隔离需求；是一种既确保了芯片中高耐压、又能将大功率器件与现有的CMOS工艺线进行集成的简易方案，减少器件的尺寸和工艺光罩层数，最终实现了工艺简化与成本节约的效果。

主权项：1.一种基于深沟槽隔离的NLDMOS器件制作方法，其特征在于，包括：对定义了阻挡层的外延片进行刻蚀形成深沟槽；对所述深沟槽进行倾斜角度的N+型注入，与所述阻挡层相连；对所述深沟槽底部进行零角度的P型杂质注入，形成P-低浓度区，所述P-低浓度区起到隔离作用；生长所述深沟槽的热氧化层；在所述深沟槽内部填充多晶硅，形成深沟隔离区；定义所述NLDMOS器件的浅沟隔离区；填充高密度等离子体氧化膜后对器件表面进行平坦化处理；沉积多晶硅层，并刻蚀形成所述NLDMOS器件的栅极；进行N+和P+注入形成源极和漏极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 基于深沟槽隔离的NLDMOS器件制作方法

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