申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2023-09-27

公开（公告）日：2023-12-08

公开（公告）号：CN117199139A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.12.26#实质审查的生效;2023.12.08#公开

摘要：本发明提供了一种半导体器件、NLDMOS结构及其制造方法，所述NLDMOS结构包括：衬底；栅极结构；第一N型掺杂区，设于栅极结构下方的衬底中且包覆第一场氧；P型掺杂区；第一N型重掺杂区，设于第一场氧远离栅极结构的衬底中；第二N型掺杂区，与第一N型掺杂区相接且位于衬底远离P型掺杂区一侧，其中，第二N型掺杂区的掺杂深度小于第一N型掺杂区的掺杂深度，且至少部分包覆第一N型重掺杂区。本发明中，利用第二N型掺杂区及第一N型掺杂区作为NLDMOS结构的漂移区包覆栅结构及第一场氧下的衬底，以便被P型掺杂区及衬底完全耗尽，从而提高NLDMOS结构的击穿电压。

主权项：1.一种NLDMOS结构，其特征在于，包括：衬底，其表面上设有第一场氧；栅极结构，设于所述衬底上且覆盖部分所述第一场氧；第一N型掺杂区，设于所述栅极结构下方的衬底中且包覆所述第一场氧；P型掺杂区，设于所述第一N型掺杂区远离所述第一场氧一侧的衬底中且延伸至所述栅极结构的下方；第一N型重掺杂区，设于所述第一场氧远离所述栅极结构的衬底中；第二N型掺杂区，与所述第一N型掺杂区相接且位于所述衬底远离所述P型掺杂区一侧，其中，所述第二N型掺杂区的掺杂深度小于所述第一N型掺杂区的掺杂深度，且至少部分包覆所述第一N型重掺杂区。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 半导体器件、NLDMOS结构及其制造方法

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